-
公开(公告)号：CN117716509A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280052314.9
申请日：2022-02-15
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L29/45
Abstract: 本发明提供一种能够形成p型区域、有效减少p型区域与电极的接触电阻的技术。本发明的氮化物半导体装置的制造方法的一个实施方式具有：镁层形成工序，在氮化物半导体衬底的表面形成以镁作为主要成分的镁层。本发明的制造方法具有：退火工序，对形成有镁层的氮化物半导体衬底进行退火。
Search Results
1
records
(took 0.028 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
