公开(公告)号：CN1484328A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03149196.0

申请日：2003-06-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 桥村昌树 ,  小西茂辉 ,  长坂尚久

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B23K26/009 ,  B23K26/18 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/32341

Abstract: 在基片上形成多个第III族氮化物化合物半导体层，用于进行元件的形成和电极的形成。通过蚀刻或切块机切割除去在分离线上的第III组氮化物化合物半导体层，以便仅仅残留接近基片一侧的电极形成层或在所述分离线上不残留第III族氮化物化合物半导体层，保护膜形成在整个前部表面上。通过激光照射在基片的前部表面上形成分离槽。保护膜与激光束照射产生的不必要的产物一起除去。研磨基片的后部表面，减小基片的厚度。然后，在基片的后部表面中形成与格式框架状分离线相对应的后面槽。基片沿分离线分离成各个元件。

公开(公告)号：CN1241253C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN03149196.0

申请日：2003-06-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 桥村昌树 ,  小西茂辉 ,  长坂尚久

IPC: H01L21/782 ,  H01L33/00

CPC classification number: B23K26/009 ,  B23K26/18 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/32341

Abstract: 在基片上形成多个第III族氮化物化合物半导体层，用于进行元件的形成和电极的形成。通过蚀刻或切块机切割除去在分离线上的第III组氮化物化合物半导体层，以便仅仅残留接近基片一侧的电极形成层或在所述分离线上不残留第III族氮化物化合物半导体层，保护膜形成在整个前部表面上。通过激光照射在基片的前部表面上形成分离槽。保护膜与激光束照射产生的不必要的产物一起除去。研磨基片的后部表面，减小基片的厚度。然后，在基片的后部表面中形成与格式框架状分离线相对应的后面槽。基片沿分离线分离成各个元件。