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公开(公告)号：CN114939441B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210417522.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司 , 太原理工大学
IPC: B01J47/014 , B01J47/14 , B01J49/00 , C02F1/42
Abstract: 本发明涉及功能材料技术领域，尤其涉及一种光控离子交换功能材料及其制备方法和应用，其制备方法为将光催化材料、含电活性离子交换功能材料单体的水溶液与氧化剂混合，进行化学氧化聚合；或者将光催化材料、电活性离子交换中心体、配体材料和水混合，进行化学共沉淀，得到光控离子交换功能材料。制备所得的光控离子交换功能材料呈核壳结构，可以实现电活性离子交换功能材料与光催化材料的复合。在处理离子废水时，电活性离子交换功能材料吸收废水中的离子，而光催化材料可以提高电活性离子交换功能材料的氧化还原状态，进一步提高了材料吸收废水中离子的能力，从而降低能耗。
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公开(公告)号：CN114939441A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210417522.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司 , 太原理工大学
IPC: B01J47/014 , B01J47/14 , B01J49/00 , C02F1/42
Abstract: 本发明涉及功能材料技术领域，尤其涉及一种光控离子交换功能材料及其制备方法和应用，其制备方法为将光催化材料、含电活性离子交换功能材料单体的水溶液与氧化剂混合，进行化学氧化聚合；或者将光催化材料、电活性离子交换中心体、配体材料和水混合，进行化学共沉淀，得到光控离子交换功能材料。制备所得的光控离子交换功能材料呈核壳结构，可以实现电活性离子交换功能材料与光催化材料的复合。在处理离子废水时，电活性离子交换功能材料吸收废水中的离子，而光催化材料可以提高电活性离子交换功能材料的氧化还原状态，进一步提高了材料吸收废水中离子的能力，从而降低能耗。
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公开(公告)号：CN218371886U
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202222309982.5
申请日：2022-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司 , 太原理工大学
IPC: C02F1/461
Abstract: 本实用新型公开了一种水处理用的表面钽改性钛电极，包括极板主体；所述极板主体为纯钛板；所述极板主体的表面设置有若干个凹槽；所述极板主体表面设置有钽改性层。所述凹槽呈阵列设置在极板主体表面。通过增加电极的比表面积和表面钽改性层与纯钛板的结合强度，解决电极表面涂层易脱落、水处理效率低的问题。通过对钛基体表面形成凹槽，提高了电极的比表面积，增大与废水的接触面积，提高水处理效率。并且在钛基体上形成表面钽改性层，一方面钽具有高硬度、高化学稳定性、高耐蚀性的特点，减少了电极维护和更换频率，提高了废水的处理效率，对污水处理技术的应用具有显著意义。
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公开(公告)号：CN113405149A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110832927.1
申请日：2021-07-22
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种淋浴房用相变余热回收通风供暖系统，供暖水管网栅嵌入设置在淋浴房的底部区域和周侧墙板靠近底部的2/3区域内；供暖水管网栅的热水循环管道入口通过第一连接管道与淋浴房的内排水口连接；第一连接管道通过第二连接管道与淋浴房进水口的供淋浴热水管道连接，第一连接管道和第二连接管道均与供暖水管网栅内的蛇形盘管的初始端连接，蛇形盘管的末端通过第三连接管道与淋浴房的外排水口连接；第一连接管道、第二连接管道和蛇形盘管分别连接微型智能分析控制器，能够实现管道内热水的温度和流程控制；相变余热回收通风墙板嵌入设置在淋浴房的周侧墙板靠近顶部的1/3区域内。本发明能够实现淋浴房内节能、舒适的通风供暖效果。
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公开(公告)号：CN110921509A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911348822.8
申请日：2019-12-24
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种天车定位装置及其方法，包括大车运行机构底座，大车运行机构底座的顶端与天车的大车运行机构连接，大车运行机构底座的底端与一次定位装置连接，一次定位装置用于控制重型工件的摆动，一次定位装置两侧的大车运行机构底座上分别设置有动力滑轮，动力滑轮的滑轮钢绳穿过二次定位臂中心与H形快装挂钩连接，H形快装挂钩通过电机驱动动力滑轮升降完成H形快装挂钩与U形臂的悬挂与脱钩，动力滑轮连接控制系统用于实现一次定位装置升降及自动化控制。本发明自动化程度高、可靠性高、效率高，实现执行机构的精准定位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110239908A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910592634.3
申请日：2019-07-03
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
IPC: B65G35/00 , B65G47/248 , B65G43/00
Abstract: 本发明公开了一种重型复杂工件涂装线用地轨自动翻转台车及其方法，包括翻转支架，翻转支架用于放置重型工件，并通过气缸推动实现工件翻转，翻转支架的一端与夹紧臂活动连接，夹紧臂用于实现工件夹紧，翻转支架和夹紧臂分别通过旋转轴安装在地轨台车上，翻转支架、夹紧臂和地轨台车分别于控制系统连接用于实现自动化控制。本发明自动化程度高、可靠性高、效率高，实现执行机构的精准定位。
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公开(公告)号：CN106206881B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610794752.9
申请日：2016-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED蓝光外延的制备方法，分别以氨气、高纯三甲基铟(TMIn)、TMAl、TEGa、以及高纯三甲基镓(TMGa)为源，分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂，以氢气或氮气为载气，通入反应室与氨气在900～1100℃发生化学反应，生成Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体，在蓝宝石、硅片、碳化硅片或石英玻璃片上按一定的晶格次序沉积，制成所述外延结构。本发明通过工艺参数优化和调整将外延材料晶体质量(缺陷密度)控制在合理范围，晶体质量对产品的光电参数都存在一定的影响，采用修复层及基底技术提高衬底转移良品率，修复层及基底技术可以良好的释放衬底与外延层之间应力。
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公开(公告)号：CN106967279A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710176884.X
申请日：2017-03-22
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司 , 西安锐普打印机有限公司
CPC classification number: C08L67/04 , B29B9/06 , B29C48/40 , B33Y70/00 , C08J3/2053 , C08J2367/04 , C08J2403/02 , C08L3/02 , C08K5/053
Abstract: 本发明公开了一种用于3D打印的PLA、淀粉复合材料及其制备工艺，其公开的工艺适于工业化生产，使得制得的复合材料韧性好。本发明的制备工艺，包含如下步骤：(1)量取一定量的甘油加入到容器内，用无水乙醇稀释甘油，磁力搅拌0.5h，称取一定量的PLA粉末加入到所述容器内，搅拌均匀后置于干燥箱80度干燥至无水乙醇完全挥发；(2)将步骤(1)干燥好的甘油、PLA混合粉末与一定量的淀粉混合，用粉碎机混匀，干燥；(3)将步骤(2)干燥后的混合料用双螺杆挤出机共混挤出造粒，得到用于3D打印的PLA、淀粉复合材料。
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公开(公告)号：CN106283186A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610653488.7
申请日：2016-08-10
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
CPC classification number: C30B29/06 , B05D3/0254 , B05D7/24 , B05D2203/30 , B05D2518/10 , B05D2601/20 , C09D1/00 , C09D5/18 , C30B28/06
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，包括以下步骤：称取六方氮化硼缓慢加入到硅溶胶和高纯水混合液中搅拌均匀，制得所需浆料，按照重量百分比计，六方氮化硼用量为20％-23％，高纯水用量为53％-55％，硅溶胶用量为23％-25％；在喷涂之前，先对浆料进行连续搅拌，保持室温为24-28℃，保持待喷涂坩埚本体温度为60-80℃，将浆料喷涂在坩埚底面上，坩埚侧面喷涂氮化硅；对喷涂后的坩埚进行烘焙，烘焙完毕后在坩埚底面即形成多晶硅铸锭用坩埚涂层。本发明工艺简单，便于操作，不引入杂质元素，有效保障了坩埚涂层的高致密性，使制备得到的坩埚涂层纯度高，从而有效抑制了坩埚杂质的污染，烘焙后的坩埚底部涂层稳定性好且结合强度高，提高底部勺子寿命。
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公开(公告)号：CN106206881A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610794752.9
申请日：2016-08-31
Applicant: 中联西北工程设计研究院有限公司
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED蓝光外延的制备方法，分别以氨气、高纯三甲基铟(TMIn)、TMAl、TEGa、以及高纯三甲基镓(TMGa)为源，分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂，以氢气或氮气为载气，通入反应室与氨气在900～1100℃发生化学反应，生成Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体，在蓝宝石、硅片、碳化硅片或石英玻璃片上按一定的晶格次序沉积，制成所述外延结构。本发明通过工艺参数优化和调整将外延材料晶体质量(缺陷密度)控制在合理范围，晶体质量对产品的光电参数都存在一定的影响，采用修复层及基底技术提高衬底转移良品率，修复层及基底技术可以良好的释放衬底与外延层之间应力。
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