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公开(公告)号：CN112174196B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202011045490.9
申请日：2020-09-28
Applicant: 中科南京绿色制造产业创新研究院 , 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/076 , C01G23/00 , C01B32/05 , G21B1/11
Abstract: 本发明提供一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统，所述制备方法包括以下步骤：(1)使Li2TiO3颗粒在保护气氛中处于流化状态；(2)在步骤(1)持续进行的基础上，混合Li2TiO3颗粒与碳源气体，得到C包覆Li2TiO3颗粒；(3)在步骤(1)持续进行的基础上，混合步骤(2)所得C包覆Li2TiO3颗粒、钛源气体与氮源气体；(4)气固分离后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。所述装置系统包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li2TiO3对包层材料的腐蚀，同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H2/H2O环境中的稳定性。
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公开(公告)号：CN112185591B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202011043504.3
申请日：2020-09-28
Applicant: 中科南京绿色制造产业创新研究院 , 中国科学院过程工程研究所
IPC: G21B1/11 , C01B21/076
Abstract: 本发明提供一种TiN包覆Li4SiO4氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统，所述制备方法包括以下步骤：(1)使Li4SiO4颗粒在保护气氛中处于流化状态；(2)在步骤(1)持续进行的基础上，混合Li4SiO4颗粒、钛源气体与氮源气体；(3)气固分离后得到TiN包覆Li4SiO4氚增殖剂。所述装置系统包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li4SiO4对包层材料的腐蚀，同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H2/H2O环境中的稳定性，且制备工艺简单，具备有良好的经济效益和社会效益。
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公开(公告)号：CN112174156B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011045488.1
申请日：2020-09-28
Applicant: 中科南京绿色制造产业创新研究院 , 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明提供一种TiN/C包覆Li4SiO4氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统，所述制备方法包括以下步骤：(1)使Li4SiO4颗粒在保护气氛中处于流化状态；(2)在步骤(1)持续进行的基础上，混合Li4SiO4颗粒与碳源气体，得到C包覆Li4SiO4颗粒；(3)在步骤(1)持续进行的基础上，混合步骤(2)所得C包覆Li4SiO4颗粒、钛源气体与氮源气体；(4)气固分离后得到TiN/C包覆Li4SiO4氚增殖剂。所述装置系统包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li4SiO4对包层材料的腐蚀，同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H2/H2O环境中的稳定性。
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公开(公告)号：CN112185592B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202011043508.1
申请日：2020-09-28
Applicant: 中科南京绿色制造产业创新研究院 , 中国科学院过程工程研究所
IPC: G21B1/11
Abstract: 本发明提供一种C/TiN包覆Li4SiO4氚增殖剂及其制备方法与制备装置系统，所述制备方法包括以下步骤：(1)使Li4SiO4颗粒在保护气氛中处于流化状态；(2)在步骤(1)持续进行的基础上，混合Li4SiO4颗粒、钛源气体与氮源气体，得到TiN包覆Li4SiO4颗粒；(3)在步骤(1)持续进行的基础上，混合步骤(2)所得TiN包覆Li4SiO4颗粒与碳源气体；(4)气固分离后得到C/TiN包覆Li4SiO4氚增殖剂。所述装置系统包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li4SiO4对包层材料的腐蚀，同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H2/H2O环境中的稳定性。
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公开(公告)号：CN118062849A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211481488.5
申请日：2022-11-24
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B32/921
Abstract: 本发明公开了一种制备Ti2CCl2MXene的方法。所述方法为将亚氯化钛前驱体或特定比例的Ti或TiH2和TiCl4的混合物作为钛源前驱体，与碳源气体反应合成Ti2CCl2MXene。与传统选择性侵蚀法相比，本发明不仅可解决传统侵蚀法难以获得纯度高、缺陷少的高质量MXene的难题，还具有合成效率高、成本低优点，具有显著的经济效益和社会效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115432677B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110625946.7
申请日：2021-06-04
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/068 , C04B35/587 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法。气相硅源和氨气在导流反应器中高速撞击并发生反应，然后依次在流化床中经过脱卤、深度脱卤、分解、晶化等步骤可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量的氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，并且能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率高，成本更低。
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公开(公告)号：CN115432675B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202110625470.7
申请日：2021-06-04
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/068 , B01J19/18
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公开(公告)号：CN114634167B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210226826.4
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/082 , C04B35/597 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相Si2N2O空心球形粉体的系统及方法，该方法利用硅源气和氮源气混合反应得到硅胺前驱体和卤化铵混合物，利用氧源气对硅胺前驱体粉体增氧，获得含氧前驱体球形粉体，在流化床中进行副产物脱除和前驱体热分解得到纯相Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度纯相Si2N2O空心球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN114634168B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210226837.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体的系统和方法。该方法首先通过硅源气与氮源气混合反应获得硅胺前驱体，随后交替利用氧源气和硅源气与氮源气的组合气，获得多壳层球形含氧前驱体，最后经高温热分解获得纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度多壳层纯相Si2N2O空心球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN115432674A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110625468.X
申请日：2021-06-04
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的方法，所述方法包括预反应工序(1)、脱卤工序(2)、深度脱卤工序(3)、分解工序(4)、晶化工序(5)、冷却工序(6)和副产物收集工序(7)，可制备杂质含量低，α相含量高，粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，同时能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率更高，大幅度降低了高质量氮化硅粉体的成本。
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