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公开(公告)号：CN104752256B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201310728956.9
申请日：2013-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种等离子体刻蚀方法和系统，所述刻蚀方法包括若干个刻蚀周期，每个刻蚀周期包括等离子刻蚀阶段和中和电荷阶段，在刻蚀过程中，部分电荷附着在基底表面和/或刻蚀图形的内部；在中和电荷阶段，停止等离子体刻蚀，至少在所述停止等离子体刻蚀过程的部分时间段内，向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子，所述带预定导电类型电荷的离子用于中和附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷；通过电荷中和消除了由于沉积电荷产生的内建电场对等离子体的影响，保证了等离子体刻蚀的准确性，保证了刻蚀图形的准直。
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公开(公告)号：CN103898613B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201210567790.2
申请日：2012-12-24
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种等离子体刻蚀方法，用于对放置在等离子体反应腔室中的晶片进行加工处理，包括如下步骤：向反应腔室通入制程气体，制程气体至少包括刻蚀气体和侧壁保护气体；在反应腔室中产生一功率呈脉冲式变化的射频电场，以使反应腔室中交替进行刻蚀制程与侧壁保护制程。其减少了刻蚀过程中侧壁上出现波浪形的形貌，结构简单，实施便利。
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公开(公告)号：CN106816393A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510840215.9
申请日：2015-11-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32642 , H01J37/32862 , H01J37/32871 , H01J37/32963 , H01J2237/3341 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/26 , H01J37/32972 , H01L21/67253
Abstract: 本发明公开了一种基片处理方法及设备。其中，该方法包括：将基片送入由多个壁围成的反应腔内；向反应腔内通入刻蚀气体，以对基片进行刻蚀；通过设置在所述壁上的检测窗口获取反应腔内的光学信号，以确定刻蚀终点；在刻蚀过程中，在检测窗口处形成保护气流，以防止或减少刻蚀气体或刻蚀副产物到达检测窗口。本发明能够改善刻蚀终点监测的准确性和稳定性。
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公开(公告)号：CN106548914A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510592306.5
申请日：2015-09-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/34 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32394 , H01J37/3438 , H01J2237/06375 , H01J2237/334 , H01J2237/335 , H01L21/02082 , H01L21/3065 , H01L21/67011
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理设备及其清洗系统和方法，在反应腔室的腔壁内侧布置移动环，并在所述移动环内设置电极；所述电极通过切换开关与射频电源连通，从而在由移动环限定的等离子体扩散范围的边缘区域形成边缘等离子体；或者，所述电极通过切换开关与接地电路连通，从而对反应腔室的腔壁屏蔽形成在反应腔室内的射频电场。本发明能够增强腔室边缘部件的清洗效果，或者实现对腔壁的射频屏蔽以改善刻蚀偏心的效果。
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公开(公告)号：CN104733277B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201310718975.3
申请日：2013-12-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体刻蚀系统，包括，射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中，所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接；所述射频源由第一脉冲信号控制，所述光谱仪光栅的开关由第二脉冲信号控制，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号同步。通过本发明提供的等离子体刻蚀系统能够检测脉冲等离子体刻蚀工艺的终点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103187225B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110449964.0
申请日：2011-12-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/305
Abstract: 本发明公开了一种可监测刻蚀过程的等离子体处理装置，在基片外周围设置一移动环，在移动环上设置一通光孔，通过将通光孔的孔宽度和孔深度的比例范围限制在1∶4-3∶4之间，使得反应气体与待处理基片反应后的产物等离子体化后发出的光通过通光孔和侧壁上的监测窗口，被监测窗口外的光频谱分析仪接收和分析，获得反应产物的信息，可以监视基片的刻蚀过程，从而对反应进程有很好的控制。
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公开(公告)号：CN104752256A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310728956.9
申请日：2013-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC classification number: H01L21/67011 , H01J37/32 , H01J2237/334
Abstract: 本发明提供了一种等离子体刻蚀方法和系统，所述刻蚀方法包括若干个刻蚀周期，每个刻蚀周期包括等离子刻蚀阶段和中和电荷阶段，在在刻蚀过程中，部分电荷附着在基底表面和/或刻蚀图形的内部；在中和电荷阶段，停止等离子体刻蚀，至少在所述停止等离子体刻蚀过程的部分时间段内，向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子，所述带预定导电类型电荷的离子用于中和附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷；通过电荷中和消除了由于沉积电荷产生的内建电场对等离子体的影响，保证了等离子体刻蚀的准确性，保证了刻蚀图形的准直。
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公开(公告)号：CN104733336A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310705627.2
申请日：2013-12-19
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/66 , H01J37/244 , H01J37/32
CPC classification number: H01L22/24 , H01J37/244 , H01J37/32009
Abstract: 本发明提供了一种等离子体去胶工艺的终点检测方法和检测系统，检测方法，包括，产生预设光；所述预设光能够被反应腔室内的特定气体或粒子所吸收，所述特定气体或粒子是在等离子体去胶工艺中被消耗的气体或粒子或者产生的气体或粒子；获取所述预设光在射入反应腔室之前的入射光强；获取经过反应腔室后从所述反应腔室射出的所述预设光的出射光强；比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则确定等离子体去胶工艺达到终点；其中，所述预设阈值是应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的比较结果。
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公开(公告)号：CN103874314A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210548861.4
申请日：2012-12-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理腔室，其中，包括：腔体，其包括顶板，所述顶板构成一绝缘材料窗；基片支撑装置，设置于所述腔体内的绝缘材料窗下方；射频功率发射装置，设置于所述绝缘材料窗上方，以发射射频能量到所述腔体内；气体注入器，用于向所述腔体内供应处理气体，壳体，其设置于所述腔体内以及所述基片支撑装置上方和所述气体注入器下方，以限制处理气体的流动，所述壳体上下皆开口，且其上开口的直径大于所述下开口的直径。本发明能够优化反应腔内的气体分布以改进加工工艺的均一性。
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公开(公告)号：CN103794458A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210421401.5
申请日：2012-10-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC classification number: C25D11/246 , C23C14/0021 , C23C14/083 , C23C14/30 , C23C14/32 , C23C28/044 , C25D11/24 , Y10T428/24355
Abstract: 一种用于等离子体处理腔室的部件的增强型涂层，所述增强型涂层形成于未密封的阳极化处理表面上。在涂层形成之后，对涂覆了涂层的区域执行掩膜，并对剩余的阳极化处理表面进行密封。被阳极化处理的但未被密封的铝的多孔的和粗糙的结构增强了涂层的粘附力。然而，为了防止颗粒污染产生，曝露的阳极处理化表面在涂层形成之后被密封。涂层可为氧化钇，其由等离子体增强型原子沉积技术制造，以形成一致密和光滑的涂层。
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