真空涂层形成装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1200133C

    公开(公告)日:2005-05-04

    申请号:CN99120702.5

    申请日:1999-09-24

    CPC classification number: H01J37/32422 C23C14/24 H01J37/3266 H05H1/54

    Abstract: 一用于藉由一等离子束而在一真空腔室中的基底上形成一薄膜涂层的真空涂层形成装置,所述真空涂层形成装置包括:一用于向一真空腔室内部产生一等离子束的压力梯度型等离子枪;以及一围绕一伸向一等离子枪出口的真空腔室的短管部并使等离子束的横截面图减小的会聚线圈,其特点是,它还包括:设置在短管部内、围绕等离子束并以电绝缘状态伸出的绝缘管,以及一藉由短管部内的绝缘管围绕等离子束且其电势高于出口处的电子返回电极。

    真空涂层形成装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1263952A

    公开(公告)日:2000-08-23

    申请号:CN99120702.5

    申请日:1999-09-24

    CPC classification number: H01J37/32422 C23C14/24 H01J37/3266 H05H1/54

    Abstract: 一用于藉由一等离子束而在一真空腔室中的基底上形成一薄膜涂层的真空涂层形成装置,所述真空涂层形成装置包括:一用于向一真空腔室内部产生一等离子束的压力梯度型等离子枪;以及一围绕一伸向一等离子枪出口的真空腔室的短管部并使等离子束的横截面图减小的会聚线圈,其特点是,它还包括:设置在短管部内、围绕等离子束并以电悬浮状态伸出的绝缘管,以及一藉由短管部内的绝缘管围绕等离子束且其电势高于出口处的电子返回电极。

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