公开(公告)号：CN102560412A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210019137.2

申请日：2012-01-20

Applicant: 中国钢研科技集团有限公司

Inventor： 李一 ,  柳学全 ,  周武平 ,  李金普 ,  李楠 ,  霍静 ,  熊宁 ,  石文

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/01 ,  C23C16/44

Abstract: 一种纯钨或钼薄壁器件的制备方法，属于粉末冶金技术领域。工艺步骤为：以紫铜材质制作所需器件的模板，其表面粗糙度Ra低于6.3并保持表面清洁干燥；将模板放入气相沉积室内，以六羰基钨或六羰基钼为反应有机源，高纯氢气或氮气为稀释气，在沉积室压力500～10000Pa、沉积温度280～420℃条件下在模板上进行热解离气相沉积，沉积过程中根据沉积壁厚要求每沉积2～4小时进行一次退火。沉积完成后，关闭有机源阀门，继续通入稀释气保持器件降至室温。将模板表面沉积钨或钼的器件采用硝酸腐蚀去除紫铜模板基体，得到壁厚0.1～3mm的纯钨或钼薄壁器件。优点在于，沉积温度低，沉积速度快，沉积膜纯度高，膜层致密，膜表面的光洁度好，加工流程短，无污染，无腐蚀。