公开(公告)号：CN118999867A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411117555.4

申请日：2024-08-14

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 李旭 ,  王志刚 ,  田东辉 ,  陶兴付 ,  孙建平 ,  张毅 ,  高慧芳 ,  李硕 ,  金森林 ,  李适 ,  雷前 ,  程芳

IPC: G01L5/00 ,  G01L1/25 ,  G01L25/00 ,  G01N23/2055 ,  G01N23/2005

Abstract: 本发明公开了一种用于X射线残余应力测定仪校准用的铁块标准物质及其制备方法和应用，属于标准物质领域，其包括通过铁粉在水晶胶中沉降固化经切割处理获得的铁块，所述铁粉采用粒径为(1～8)μm、铁元素含量≥95％的纯铁铁粉。本发明选用特定粒径(1～8)μm的纯铁铁粉与水晶胶混合，固化成型后切割掉上部不均匀部分获得的铁块体标准物质中铁粉颗粒致密、均匀分布，铁块体标准物质表面平整度好、粗糙度小，标准物质的残余应力微小且均匀，完全满足标准物质的均匀性要求。

公开(公告)号：CN118913470A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410969622.9

申请日：2024-07-18

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 李旭 ,  孙建平 ,  王志刚 ,  田东辉 ,  李嘉豪 ,  高慧芳 ,  程芳 ,  张毅 ,  陶兴付 ,  李硕 ,  金森林 ,  李适

IPC: G01K7/22 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10

Abstract: 本发明公开了一种负温度系数热敏电阻温度传感器及其制造方法和应用，属于检测领域，热敏电阻温度传感器包括单晶硅基底块和生长在单晶硅基底块的二氧化硅层上的负温度系数热敏薄膜，所述负温度系数热敏薄膜为Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O热敏薄膜，其具有尖晶石结构。本发明通过引入Cu元素、在单晶硅基底进行1/3厚度预切割、采用两次磁控溅射工艺，优化了热敏薄膜的脆性和塑性，降低了热敏薄膜的面内残余应力，制备出了厚度超过7μm的Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O热敏薄膜，且热敏薄膜表面完好且与二氧化硅层结合良好，未发生开裂和脱落；其电阻小于500Ω，无需进行退火热处理；本发明的技术路线简单高效，生产效率和良品率非常高。