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公开(公告)号：CN119147580A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411323925.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 中国计量科学研究院 , 深圳中国计量科学研究院技术创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种光学一体化设置的薄膜材料相变温度测量装置及方法，属于薄膜热性能检测技术领域，包括光学组件固定架和真空腔，真空腔通过法兰连接在光学组件固定架的下方；光学组件固定架上设置有光电探测器、第一分光组件、第二分光组件、第一聚焦镜、CCD传感器、反光镜、第二聚焦镜和激光器；第二分光组件设置在激光器的发射端，第一聚焦镜设置在第二分光组件的下方，第一分光组件和光电探测器依次设置在第二分光组件的上方，第二聚焦镜和反光镜依次设置在第一分光组件的右侧，本发明所提供的装置及方法，简化了相变薄膜材料相变温度测量的过程，同时提高了相变薄膜材料相变温度测量的准确性及多样性。
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公开(公告)号：CN119147110A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411323914.1
申请日：2024-09-23
Applicant: 中国计量科学研究院 , 深圳中国计量科学研究院技术创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种薄膜材料相变温度测量的热电偶测温位移装置，属于半导体薄膜热性能检测领域，包括腔体、测温装置和位移装置；位移装置设置在腔体的下方，测温装置设置在腔体的内部底侧，腔室的内部还设置有样品台，位移装置靠近腔体的顶端安装有加热冷却装置，测温装置由热电偶、热电偶固定套管、热电偶夹具和热电偶垂直位移平台构成，热电偶的一端安装在热电偶固定套管上，热电偶固定套管远离热电偶的一侧通过热电偶夹具固定在热电偶垂直位移平台上；本发明通过使用测温装置解决了现有的测温方式误差较大的问题。
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公开(公告)号：CN119147579A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411323919.4
申请日：2024-09-23
Applicant: 中国计量科学研究院 , 深圳中国计量科学研究院技术创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种样品稳定装卸的薄膜材料相变温度测量装置，属于半导体薄膜热性能测量领域，包括快关门、真空腔体、匣板阀、进样舱室、磁力进样杆，快关门设置在真空腔体的一侧，进样舱室设置在真空腔体远离快关门的一侧，匣板阀安装在进样舱室靠近真空腔体的一侧，磁力进样杆安装在进样舱室远离匣板阀的一侧，真空腔体的底部设置有电控位移平台，真空腔体的内部设置有接收架，电控位移平台的外部套设有蒸发源，蒸发源位于接收架的正下方；本发明通过装置中磁力进样杆、接收架与蒸发源的相互配合；解决了进样过程中样品不固定的问题，保证了光路稳定；同时也保证了样品台的稳定和腔室的密闭性；并且样品与热电偶可稳定压力接触。
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公开(公告)号：CN119862393A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510339275.6
申请日：2025-03-21
Applicant: 南京市计量监督检测院 , 中国计量科学研究院
IPC: G06F18/20 , G06F18/2135
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯膜评价参数筛选方法、评价方法及相关装置，本发明针对非线性的样品特性评价参数进行非线性化处理，获得分析用参数矩阵，采用主成分分析方法对分析用参数矩阵进行一次降维，获得主成分对应的评价参数矩阵，采用一致性检验方法对评价参数矩阵进行筛选，即二次降维，获得最终的石墨烯膜评价参数，最终的评价参数可直接关联到石墨烯膜的全寿命周期，能反映实际参数的大部分信息且保证产业的共性需要，从而可以以点带面地评价石墨烯膜，降低了石墨烯评价所需的数据计算量，提高了石墨烯膜评价效率，为石墨烯膜产业化应用和生产工艺改进提供了决策支持。
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公开(公告)号：CN116183555A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310409810.1
申请日：2023-04-17
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种压力接触式薄膜材料样品加载装置及其测试方法，样品腔开口设置在样品腔的前侧壁上，激光入射孔和样品腔下方孔同轴设置在样品腔的顶壁和底壁上；套管的顶部设有套管开孔，热电偶的探头和偶丝从套管开孔中穿出并露出于套管外部，套管的顶部从样品腔下方管垂直进入样品腔内，并与薄膜材料样品的基底背面压力接触，激光从激光入射孔入射到薄膜材料样品的表面。本申请保证热电偶与样品的压力保持固定一致且可调节，从而确保了温度测量的重复性，解决现有光功率分析法相变温度测量装置中热电偶与薄膜样品接触不稳和压力不固定等问题。且热电偶与样品表面非直接接触，避免了样品对探头的污染，进一步确保了温度测量的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113488581A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110702230.2
申请日：2021-06-21
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: H01L41/33
Abstract: 本发明实施例涉及压电材料技术领域，具体涉及一种高质量压电薄膜退火降温方法和制备方法。所述退火降温方法为在压电薄膜退火后包括第一段降温过程和第二段降温过程；所述第一段降温过程为在退火炉内以降温速率为0.5‑1℃/s降温至第一温度；所述第二段降温过程为在退火炉内以2‑3℃/s的降温速率从第一温度降温至第二温度。本发明通过控制退火后降温段数的降温速率、降温温度以及降温时长，使压电薄膜与衬底间由于热膨胀系数不同导致薄膜内部产生的应力得到缓慢释放，减少薄膜内部的裂纹，提升薄膜质量，进而降低漏电流，从而提升其电学性能。
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公开(公告)号：CN112034002A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010918916.0
申请日：2020-09-04
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明实施例公开了一种热电材料塞贝克系数的测量装置和方法，该装置包括：加热炉，所述加热炉为气密封炉体；样品台，所述样品台包括冷端样品台和热端样品台，热电样品的一端固定于所述冷端样品台，所述热电样品的另一端固定于所述热端样品台；加热器，所述加热器安装于所述热端样品台；热电偶裸丝，所述热电偶裸丝包括第一热电偶裸丝和第二热电偶裸丝，所述第一热电偶裸丝套设于第一陶瓷管中，且所述第一热电偶裸丝的探头外露于所述第一陶瓷管并压紧于所述热电样品的表面；所述第二热电偶裸丝套设于第二陶瓷管中，且所述第二热电偶裸丝的探头外露于所述第二陶瓷管并压紧于所述热电样品的表面。其解决了塞贝克系数测量准确性较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN111879808A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010918872.1
申请日：2020-09-04
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: G01N25/12
Abstract: 本发明实施例公开了一种薄膜材料相变温度的测量装置，包括：光学组件；真空腔，所述真空腔的顶部开设有入光孔，所述入光孔与所述光学组件的入射光线相对设置；高温炉，所述高温炉设置于所述真空腔内，所述高温炉的底部和侧向均安装有电阻加热片，所述电阻加热片通过导线与电源连接；样品室，所述样品室设置于所述高温炉内，所述样品室通过导热结构与所述电阻加热片导热连接，且样品放置于所述样品室内，热电偶内嵌于所述样品室中，并通过探头与所述样品相接触。其提高了薄膜材料相变温度的测量准确性。
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公开(公告)号：CN108195478A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810275515.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 中国计量科学研究院 , 武汉嘉仪通科技有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种温度测量的装置，包括：样品台(1)，所述样品台(1)处于真空红外加热条件下；石英托管(2)，所述石英托管(2)连接并支撑样品台(1)，处于真空红外加热条件下；块状介质(3)，位于所述样品台(1)之内，所述块状介质(3)加工有孔；热电偶(4)，所述热电偶(4)穿过石英托管(2)，其测温端插入块状介质(3)的所述孔之内；其中，块状介质(3)的红外辐射吸收率不低于0.90，导热系数不低于60～70W/(m·K)。本发明实施例提供一种温度测量的装置能够针对真空红外加热的特殊环境，准确测量样品台内的温度。
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公开(公告)号：CN108562378B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201810275623.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 中国计量科学研究院 , 武汉嘉仪通科技有限公司
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明实施例涉及一种温度校准的装置，包括：样品台(1)，样品台(1)处于真空红外加热条件下；石英托管(5)，连接并支撑样品台(1)，处于真空红外加热条件下；K型热电偶(2)，穿过所述石英托管(5)，其测温端置于所述样品台(1)之内；块状介质(3)，位于样品台(1)之内，块状介质(3)加工有孔；S型热电偶(4)，穿过石英托管(5)，其测温端插入所述块状介质(3)的孔之内，根据所述S型热电偶(4)测得的温度，对所述K型热电偶(2)所测量到的温度进行校准；其中，所述块状介质(3)的红外辐射吸收率不低于0.90，导热系数不低于60～70W/(m·K)。本发明实施例提供的温度校准的装置能够针对真空红外加热的特殊环境，对K偶进行温度校准。
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