公开(公告)号：CN111864535A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010575729.7

申请日：2020-06-22

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 孙朝阳 ,  朱振东 ,  王雪深 ,  刘唱 ,  白本锋 ,  屈继峰

IPC: H01S5/0683

Abstract: 本发明涉及一种光频梳器件和光频梳器件的制作方法，所述介质层设置于所述衬底层的表面。所述光频梳层设置于所述介质层远离所述衬底的表面。所述介质层与所述光频梳层接触的表面设置有应力释放单元。所述应力释放单元包括V形结构。所述V形结构较大程度上阻挡了应力产生的方向和路径，从所述氮化硅薄膜传递到所述介质层表面的应力会被所述V形结构阻挡，从而可以避免所述介质层和所述氮化硅薄膜开裂，进而可以提高产品良率。

公开(公告)号：CN111864535B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202010575729.7

申请日：2020-06-22

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 孙朝阳 ,  朱振东 ,  王雪深 ,  刘唱 ,  白本锋 ,  屈继峰

IPC: H01S5/0683

Abstract: 本发明涉及一种光频梳器件和光频梳器件的制作方法，所述介质层设置于所述衬底层的表面。所述光频梳层设置于所述介质层远离所述衬底的表面。所述介质层与所述光频梳层接触的表面设置有应力释放单元。所述应力释放单元包括V形结构。所述V形结构较大程度上阻挡了应力产生的方向和路径，从所述氮化硅薄膜传递到所述介质层表面的应力会被所述V形结构阻挡，从而可以避免所述介质层和所述氮化硅薄膜开裂，进而可以提高产品良率。