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发明公开
一种基于辉光放电质谱的薄膜厚度测量方法审中-实审

公开(公告)号：CN118623773A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410826443.X

申请日：2024-06-25

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 杨建正 , 周涛 , 刘义赫 , 张见营

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明属于薄膜厚度测量技术领域，涉及一种基于辉光放电质谱的薄膜厚度测量方法，包括以下步骤：分析薄膜和基底的元素组成及浓度；通过辉光放电质谱仪对所述薄膜进行剥蚀；测定剥蚀时基底主量元素浓度随剥蚀时间变化曲线；以相同条件对薄膜进行剥蚀，测定剥蚀速率；根据所述基底主量元素浓度随剥蚀时间变化曲线确定剥蚀至基底时的剥蚀时间，将所述剥蚀时间与剥蚀速率相乘，获得薄膜厚度。该方法测量范围宽、准确性高，能够用于各种导体/半导体薄膜、涂层。

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