-
公开(公告)号:CN118703968A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202410723817.5
申请日:2024-06-05
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于低维半导体材料技术领域,具体涉及一种超长碲纳米管及其制备方法,包括以下步骤:以二氧化碲粉末作为反应前驱体,以氢氩混合气作为载气,以氢氩混合气体中氢气作为还原剂,将反应前驱体置于单端开口的石英管的封闭端,衬底置于单端开口的石英管的开口端,然后将放置反应前驱体的石英管一端放置在单温区管式炉的中心温区,以形成空间限域的生长环境,在标准大气压下通过一步化学气相沉积方法在所述衬底上制得超长碲纳米管。本发明方法利用空间限域策略解决生长过程中反应源浓度分布不均的局限,通过氢还原二氧化碲有效避免了碲纳米线结构的形成,且该方法操作便捷、工艺简单、制备成本低、重复性好等特点。