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公开(公告)号：CN112002687B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202010766281.7
申请日：2020-08-03
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件和方法，包括：压电层，由铁电材料制成；铁磁薄膜条带，设置于压电层上；底电极，以栅极形式设置于压电层下与铁磁薄膜条带对应的位置，连接电压源。工作时，与铁磁薄膜条带紧密贴合的压电层因施加电压而产生应变梯度，通过应变梯度完成斯格明子信号的稳定移动和准确钉扎。本发明的实质性效果包括：放弃了传统驱动方式的电流驱动，通过将压电材料和磁致伸缩材料结合，利用电场就可以完成斯格明子信号的稳定移动和准确钉扎，克服了存储单元体积增加、存储器件功耗增加和边界淹没等缺点，并可以将斯格明子信号准确钉扎在信号读取器处。
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公开(公告)号：CN112002797B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010766278.5
申请日：2020-08-03
Applicant: 中国计量大学
IPC: H10N30/80
Abstract: 本发明公开了一种基于多铁异质结的电场控制自旋波逻辑器件及其控制方法，包括多铁异质结，多铁异质结表面布设波导层，且有若干顶电极分布于波导层两侧，其中该逻辑器件分成若干功能区域：至少一个激发区，位于逻辑器件的一端，通过电极施加电压，多铁异质结产生的应变传递至波导层，影响波导层中的磁各向异性，进而使磁化方向产生偏转，最终激发自旋波；至少一个检测区，位于逻辑器件另一端，自旋波导致的波导层应变与多铁异质结耦合，产生微波电信号；至少一个调控区，位于激发区和检测区之间，通过电极调整电场以调控自旋波；利用自旋波干涉作用完成逻辑运算。本发明采用全电学方式工作，结构简单，有利于集成和加工，焦耳热低，静态功率小。
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公开(公告)号：CN112002797A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010766278.5
申请日：2020-08-03
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L41/04
Abstract: 本发明公开了一种基于多铁异质结的电场控制自旋波逻辑器件及其控制方法，包括多铁异质结，多铁异质结表面布设波导层，且有若干顶电极分布于波导层两侧，其中该逻辑器件分成若干功能区域：至少一个激发区，位于逻辑器件的一端，通过电极施加电压，多铁异质结产生的应变传递至波导层，影响波导层中的磁各向异性，进而使磁化方向产生偏转，最终激发自旋波；至少一个检测区，位于逻辑器件另一端，自旋波导致的波导层应变与多铁异质结耦合，产生微波电信号；至少一个调控区，位于激发区和检测区之间，通过电极调整电场以调控自旋波；利用自旋波干涉作用完成逻辑运算。本发明采用全电学方式工作，结构简单，有利于集成和加工，焦耳热低，静态功率小。
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公开(公告)号：CN112002687A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010766281.7
申请日：2020-08-03
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件和方法，包括：压电层，由铁电材料制成；铁磁薄膜条带，设置于压电层上；底电极，以栅极形式设置于压电层下与铁磁薄膜条带对应的位置，连接电压源。工作时，与铁磁薄膜条带紧密贴合的压电层因施加电压而产生应变梯度，通过应变梯度完成斯格明子信号的稳定移动和准确钉扎。本发明的实质性效果包括：放弃了传统驱动方式的电流驱动，通过将压电材料和磁致伸缩材料结合，利用电场就可以完成斯格明子信号的稳定移动和准确钉扎，克服了存储单元体积增加、存储器件功耗增加和边界淹没等缺点，并可以将斯格明子信号准确钉扎在信号读取器处。
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