公开(公告)号：CN112916348A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110085733.X

申请日：2021-01-22

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 刘豪 ,  金尚忠 ,  周亚东 ,  赵天琦 ,  邹艳秋

IPC: B05D1/00 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明属于量子点技术领域。本发明公开了一种基于旋涂技术的可控量子点制备方法，所述量子点以图形化衬底为模板通过将量子点源离心旋涂在所述图形化衬底上后经过生长获得；具体包括衬底预处理、衬底图形化处理、可控量子点制备及固定量子点等步骤；本发明还公开了一种由上述制备方法制得的量子点。本发明中利用了图形化衬底及旋涂技术，实现了量子点的均匀可控生长，本发明中获得的量子点完全生长于图形化衬底的目标区域，再目标区域外不生长量子点；本发明中可以根据需要针对不同的量子点形状涉及图形化衬底，满足生长不同形状量子点的需求；本发明中的量子点生长工艺的工艺过程更加简单，但也能实现可控量子点生长。

公开(公告)号：CN112916348B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110085733.X

申请日：2021-01-22

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 刘豪 ,  金尚忠 ,  周亚东 ,  赵天琦 ,  邹艳秋

IPC: B05D1/00 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明属于量子点技术领域。本发明公开了一种基于旋涂技术的可控量子点制备方法，所述量子点以图形化衬底为模板通过将量子点源离心旋涂在所述图形化衬底上后经过生长获得；具体包括衬底预处理、衬底图形化处理、可控量子点制备及固定量子点等步骤；本发明还公开了一种由上述制备方法制得的量子点。本发明中利用了图形化衬底及旋涂技术，实现了量子点的均匀可控生长，本发明中获得的量子点完全生长于图形化衬底的目标区域，再目标区域外不生长量子点；本发明中可以根据需要针对不同的量子点形状涉及图形化衬底，满足生长不同形状量子点的需求；本发明中的量子点生长工艺的工艺过程更加简单，但也能实现可控量子点生长。

公开(公告)号：CN113358698A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110653057.1

申请日：2021-06-11

Applicant: 中国计量大学 ,  杭州华新检测技术股份有限公司

Inventor： 侯德鑫 ,  郑刚兵 ,  叶树亮 ,  王林峰 ,  刘豪 ,  王力子 ,  王银燕

IPC: G01N25/72

Abstract: 本发明公开了一种钢管混凝土脱空检测系统，包括用于采集检测面温度数据的红外热像仪；还包括用于感应加热的电源和线盘，线盘用于在钢管表面产生电涡流的形式加热钢管混凝土；以及装有钢管混凝土脱空检测软件的计算机，所述软件能够控制加热的启停和温度数据的记录，以及脱空缺陷特征提取程序，所述程序提取从热像仪得到的红外热图进行热源反演和温度预测，并将实验得到的热图数据与预测得到的热图数据进行作差来提取脱空缺陷产生的温度异常特征，从而判断是否存在脱空。本发明还公开了一种脱空检测方法，采用该方法进行检测，可对20mm及以内钢管下的脱空缺陷进行定量识别，操作方便，检测效率高。

公开(公告)号：CN113013727B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202110224535.7

申请日：2021-03-01

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 金尚忠 ,  刘豪 ,  赵春柳 ,  石岩 ,  郝然 ,  陈君

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明属于半导体技术领域。本发明公开了一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，包括可调谐振腔、用于产生单光子源的量子点层、谐振腔调整装置、用于生长所述可调谐振腔与所述量子点层的衬底及位于所述衬底和可调谐振腔值之间的缓冲层。本发明利用可调谐振腔来提高量子点单光子源的提取效率，量子点单光子源的产生和可调谐振腔是分离的状态，这样一个高品质的可调谐振腔就可以不断的进行谐振频率位置和周期的调节，以达到微腔结构对量子点进行更好的耦合从而提高单光子源的提取效率。与现有技术相比，本发明中单光子源发射和收集效率更高，量子点和谐振腔可以更好地提高耦合效率，此外能够尽可能的减小实际制作过程中的非理想工艺偏差。

公开(公告)号：CN113013727A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110224535.7

申请日：2021-03-01

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 金尚忠 ,  刘豪 ,  赵春柳 ,  石岩 ,  郝然 ,  陈君

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明属于半导体技术领域。本发明公开了一种基于可调谐振腔的量子点单光子源，包括可调谐振腔、用于产生单光子源的量子点层、谐振腔调整装置、用于生长所述可调谐振腔与所述量子点层的衬底及位于所述衬底和可调谐振腔值之间的缓冲层。本发明利用可调谐振腔来提高量子点单光子源的提取效率，量子点单光子源的产生和可调谐振腔是分离的状态，这样一个高品质的可调谐振腔就可以不断的进行谐振频率位置和周期的调节，以达到微腔结构对量子点进行更好的耦合从而提高单光子源的提取效率。与现有技术相比，本发明中单光子源发射和收集效率更高，量子点和谐振腔可以更好地提高耦合效率，此外能够尽可能的减小实际制作过程中的非理想工艺偏差。