-
公开(公告)号:CN115188898A
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202210751794.X
申请日:2022-06-29
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明涉及一种基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器及其制备方法和应用。该光电二极管型X射线探测器包括CsCu2I3晶片和器件结构,所述晶片包括CsI和CuI粉末原料,研磨混合热压制备CsCu2I3晶片,其中CsI和CuI的摩尔比为1:2。所述的器件结构为阴极/空穴传输层/CsCu2I3晶片/电子传输层/阳极。从而实现基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器件,以促进全无机无铅卤化物Cs‑Cu‑I体系在X射线直接探测上的应用。本发明中的各功能层对环境友好,制备方法简便,具有大尺寸规模化制备的潜力,有良好的应用前景。