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公开(公告)号：CN112807010A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110243825.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 中国计量大学
IPC: A61B6/03
Abstract: 本发明公开了一种便携式肢体关节单光子CT成像系统，包括：支撑结构、滑环导轨、X射线源、硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier，简称为SiPM)探测器模块、数据采集模块、驱动模块、处理器、供电模块以及通信模块。通过处理器控制驱动模块驱动滑环导轨旋转装置和导轨水平移动装置同步运行，带动滑环导轨上的X射线源和SiPM探测器模块完成360°螺旋扫描。采用弧形的单光子探测灵敏度的SiPM探测器探测X射线实现大面积的低剂量的CT扫描成像。解决了传统肢体关节CT成像中存在的射线剂量高、设备不灵活、设备成本高、操作复杂以及扫描时间长等问题，具有操作灵活、成像清晰、辐射剂量低、扫描时间短等优点。
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公开(公告)号：CN110232305A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910259924.6
申请日：2019-04-02
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明提供了一种基于导波变换的双竞争模式融合的手指静脉特征提取方法，具体方法为：步骤1基于采集的手指静脉图像对ROI(region of interest)的定位、平面旋转与平移纠正、ROI分割；步骤2利用直方图均衡化来对ROI静脉进行增强；步骤3对增强的ROI进行二次引导波滤波；对步骤3输出结果进行Gabor波获取竞争幅值与竞争方向模式；步骤5融合步骤4输出的双竞争模式；本发明提供的手指静脉特征提取方法，不仅克服了常用典型手指静脉特征提取方法不能有效获取指静脉的纹理特征的缺点，并且还克服了由于光照不均匀、光照过强而导致提取到的指静脉不清晰或者丢失的现象，能够有效获取指静脉纹理特征。
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公开(公告)号：CN113284971A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110400215.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法，属于单光子探测技术领域。该背面照射的单光子雪崩二极管，包括P型外延层，在所述的P型外延层的内部设置P+重掺杂区，在所述的P+重掺杂区的外围同轴设置P‑低掺杂区，在所述的P‑低掺杂区的下方同轴设置P型雪崩掺杂区，在所述的P+重掺杂区的两侧设置N+重掺杂区，在所述的N+重掺杂区的下方同轴设置N阱区，在所述的P型雪崩掺杂区下方间隔设置N型雪崩掺杂区，在所述的N型雪崩掺杂区的下方设置N‑低掺杂区。本发明采用光从背面照射的方式，优化器件结构，将器件的外围电路集成在器件的下方。提高了器件的探测效率。P型雪崩掺杂区、P型外延层中心区与N型雪崩掺杂区形成雪崩结，采用次结构显著降低器件的暗计数率。
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公开(公告)号：CN110427926A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910858736.5
申请日：2019-09-11
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明提供了一种改进的OPTA手指静脉细化算法，具体为：步骤1将当前处理像素点的八邻域与8个消除模板逐个进行对比，若此像素点的八邻域完全符合其中任意一个消除模板的标准要求，则进行步骤2处理，反之进行步骤3处理；步骤2将该像素点的八邻域与4个保留模板进行对比，若符合任意一个保留模板的标准要求，则该像素点保留，反之，删除该像素点，同时按遍历的方式对下一个像素点进行步骤1处理；步骤3该像素点保留，并按遍历的方式对下一个像素点进行步骤1处理；步骤4重复步骤1，步骤2，步骤3直至对所有像素点完成对比保留删除处理；步骤5确定是否有像素点被删除，若有继续进行迭代，反之，细化初步完成，然后进行光滑处理。
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公开(公告)号：CN112629682A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110048294.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明是一种具备光子数分辨能力、低暗计数的单光子探测器，包括包括光学系统模块，偏置电压模块，SiPM探测器模块，制冷模块，信号放大模块，脉冲甄别整形模块，FPGA计数模块，光学系统模块扩大单光子探测器感光面积，SiPM探测器模块是小活性区面积的SiPM具备光子数分辨能力和较低暗计数率，偏置电压模块为单光子探测器提供反向偏置电压，最终实现微弱光信号的探测。本发明所述的单光子探测器具有较大感光面积、较低暗记数率以及较高光子数分辨能力的SiPM单光子探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111490123A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010422703.9
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种低暗计数率的单光子雪崩二极管及其制作方法，属于单光子探测技术领域。该单光子雪崩二极管包括设置在衬底上的P型外延层，在所述的P型外延层的内部设置N型隔离区，在所述的N型隔离区的两侧对称设置N阱区，在所述的N阱区的顶部同轴设置N+重掺杂区，在所述的N型隔离区上方同轴设置中心N型区，在所述的中心N型区上方设置P阱区，在所述的P阱区内部同轴设置P+重掺杂区，在所述的P+重掺杂区两侧对称设置P型保护环区。本发明采用P阱中心区、P型外延层中心区与中心N型区形成雪崩区，有利于降低雪崩区电场，抑制隧穿效应的产生，显著降低器件的暗计数率。
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公开(公告)号：CN112729573A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110050014.4
申请日：2021-01-14
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01J11/00 , H01L31/0224 , F25B21/02 , G05D23/19 , G05B19/042
Abstract: 本发明提供了一种半导体制冷型SPAD单光子探测器：数字温度传感器向单片机模块实时上传制冷模块的实际温度，并使用单片机内部写入的算法根据由交互模块设置的目标工作温度与实际温度的差值进行计算，得到使能信号控制继电器开合，控制TEC制冷模块的工作时间，以此达到温控的功能，同时单片机模块输出脉冲控制探测模块的淬灭和恢复，使温控与淬灭电路成为整体，防止雪崩温度过高影响SPAD性能，该方案可以通过软件实现对参数进行调整，更加方便快捷，同时无需TEC驱动芯片，通过单片机和其他电子元件实现控制探测电路和温度控制，简化了电路结构，降低了制造和维护成本。
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公开(公告)号：CN215527742U
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202120762893.9
申请日：2021-04-14
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种背面照射的单光子雪崩二极管，属于单光子探测技术领域。该背面照射的单光子雪崩二极管，包括P型外延层，在所述的P型外延层的内部设置P+重掺杂区，在所述的P+重掺杂区的外围同轴设置P‑低掺杂区，在所述的P‑低掺杂区的下方同轴设置P型雪崩掺杂区，在所述的P+重掺杂区的两侧设置N+重掺杂区，在所述的N+重掺杂区的下方同轴设置N阱区，在所述的P型雪崩掺杂区下方间隔设置N型雪崩掺杂区，在所述的N型雪崩掺杂区的下方设置N‑低掺杂区。本发明采用光从背面照射的方式，优化器件结构，将器件的外围电路集成在器件的下方。提高了器件的探测效率。P型雪崩掺杂区、P型外延层中心区与N型雪崩掺杂区形成雪崩结，采用次结构显著降低器件的暗计数率。
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公开(公告)号：CN214471360U
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202120098391.0
申请日：2021-01-14
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本实用新型是一种具备光子数分辨能力、低暗计数的单光子探测器，包括包括光学系统模块，偏置电压模块，SiPM探测器模块，制冷模块，信号放大模块，脉冲甄别整形模块，FPGA计数模块，光学系统模块扩大单光子探测器感光面积，SiPM探测器模块是小活性区面积的SiPM具备光子数分辨能力和较低暗计数率，偏置电压模块为单光子探测器提供反向偏置电压，最终实现微弱光信号的探测。本实用新型所述的单光子探测器具有较大感光面积、较低暗记数率以及较高光子数分辨能力的SiPM单光子探测器。
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公开(公告)号：CN214372950U
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202120096751.3
申请日：2021-01-14
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01J11/00 , H01L31/0224 , F25B21/02 , G05D23/19 , G05B19/042
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体制冷型SPAD单光子探测器：数字温度传感器向单片机模块实时上传制冷模块的实际温度，并使用单片机内部写入的算法根据由交互模块设置的目标工作温度与实际温度的差值进行计算，得到使能信号控制继电器开合，控制TEC制冷模块的工作时间，以此达到温控的功能，同时单片机模块输出脉冲控制探测模块的淬灭和恢复，使温控与淬灭电路成为整体，防止雪崩温度过高影响SPAD性能，该方案可以通过软件实现对参数进行调整，更加方便快捷，同时无需TEC驱动芯片，通过单片机和其他电子元件实现控制探测电路和温度控制，简化了电路结构，降低了制造和维护成本。
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