一种小型化表面波测试系统

    公开(公告)号:CN116500515B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202310511324.0

    申请日:2023-05-04

    Abstract: 本发明公开了一种小型化表面波测试系统,其包括微型暗室、发射天线、接收天线、待测材料支架;微型暗室的一个面能打开或设有操作孔;发射天线、接收天线置于微型暗室内,对称设置,且通过天线支架置于待测材料支架上;发射天线、接收天线均包括两个金属片,两个金属片的一端贴合,一端弯曲形成开口;待测材料置于两个开口之间;发射天线通过发射射频电缆与发射射频电缆转接头连接,接收天线通过接收射频电缆与接收射频电缆转接头连接;发射射频电缆转接头和接收射频电缆转接头置于微型暗室上。本发明能提高天线的表面波辐射效率,降低多径散射对测试结果的干扰,提高表面波抑制材料抑制效果的测试精度。

    低损耗吸波透波一体隐身罩结构

    公开(公告)号:CN114512819B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202210148989.5

    申请日:2022-02-18

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗吸波透波一体隐身罩结构,包括金属框体、吸波材料、蘑菇结构以及玻璃钢蒙皮,其中,金属框体内部中空设置且上下两端均开口设置,金属框体的上下两端均安装有玻璃钢蒙皮,金属框体的中空空腔内部容纳有吸波材料,金属框体的侧壁上固定有多个蘑菇结构,蘑菇结构包括与金属框体外侧壁平行设置的圆形金属片以及连接圆形金属片和金属框体外侧壁的金属杆,金属杆的两端分别与圆形金属片和金属框体电连接。本发明提出的低损耗吸波透波一体隐身罩结构,通过在材料表面设计相互独立的透波通道和吸波通道,从而降低了带内透射电磁波与吸波材料之间的耦合度,进而在实现材料带外吸波性能的前提下降低通带内的插入损耗。

    水基透明可重构超材料吸波体及其制造方法

    公开(公告)号:CN117791161A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311684720.X

    申请日:2023-12-11

    Abstract: 本发明公开了一种水基透明可重构超材料吸波体及其制造方法。本水基透明可重构超材料吸波体,包括多个周期排列的单元结构,单元结构包括由上至下依次设置的第一电阻膜结构层、第一介质层、第二电阻膜结构层、第二介质层和电阻膜底层,其中,第二介质层内部设置有中空的水通道,水通道呈对称结构,水通道可选择注入水以实现吸波体在双频带和超宽带微波吸收状态的切换。本发明提出的水基透明可重构超材料吸波体,可实现超宽频率范围内的高效微波吸收,同时还实现了双频带和超宽带微波吸收的切换。

    一种大动态范围反射相位调控级联结构

    公开(公告)号:CN117276910A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311189119.3

    申请日:2023-09-13

    Abstract: 本发明公开了一种大动态范围反射相位调控级联结构,该级联结构包括第一级反射结构和第二级透射结构,第一级反射结构采用加载PIN二极管的收发贴片相位调制结构,第二级透射结构采用加载变容二极管的透射型相位调制结构;入射波穿过第二级透射结构进行第一次透射相位调控后,通过第一级反射结构进行反射相位调控,反射波再通过第二级透射结构进行第二次透射相位调控后,反射回原方向。本发明实现了反射电磁波相位的大动态范围连续调控,可用于各类电磁波相关反射特性调控应用。

    一种平板吸波材料现场局部反射率测试系统及方法

    公开(公告)号:CN116429795A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310309619.X

    申请日:2023-03-27

    Abstract: 本发明公开了一种平板吸波材料现场局部反射率测试系统及方法,属于微波电磁散射性能测试技术领域,包括:透镜天线、距离控制杆、校准板及天线支架,透镜天线包括发射天线及接收天线;天线支架用于固定透镜天线,并满足两天线的口面紧邻于O1点,两天线的中轴线在焦点O2处相交,校准板的中心同样位于O2,O1与O2连线与校准板垂直,天线支架的平面与连线O1O2垂直,距离控制杆的一端固定于天线支架上并与天线支架的平面保持垂直,距离控制杆的另外一端固定于校准板,距离控制杆用于保证发射天线、接收天线及天线支架与校准板或待测材料表面之间的特定距离。可在较小空间内实现对吸波材料局部吸波性能(反射率)的高精度测试。

    一种双边陡带外抑制度频选天线罩复合材料夹层结构

    公开(公告)号:CN111613892A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010607257.9

    申请日:2020-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种双边陡带外抑制度频选天线罩复合材料夹层结构,该结构包括由上至下依次设置的第一频选层、第一介质层、第二频选层、第二介质层、第三频选层、第三介质层、第四频选层、第四介质层、第五频选层;九层之间呈紧贴的层状结构;其中:第一频选层、第二频选层、第三频选层、第四频选层、第五频选层为相同周期性排列的铜箔方框,五个铜箔方框表现为五个LC串联谐振电路,第一介质层、第二介质层、第三介质层、第四介质层分别表现为LC串联谐振电路间级联的传输线,通过五个LC串联谐振电路和四个介质层传输线级联组成频选夹层结构传输线等效模型。本发明能够实现频选天线罩的通频带快速过渡到阻带,满足电磁隔离频选天线罩的抑制度要求。

    单元小型化双通带双极化频率选择电磁防护材料结构

    公开(公告)号:CN107979965B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201711173783.3

    申请日:2017-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种单元小型化双通带双极化频率选择电磁防护材料结构,包括位于PCB板正面的第一印制电路层、位于PCB板反面的第二印制电路层,以及第一印制电路层、第二印制电路层之间的介质层,第一印制电路层由垂直方向周期性排列无限长的金属折线以及两两金属折线之间周期性排列的周期性单元构成,其中各金属折线的宽度相同;相邻两金属折线之间的周期性单元向右下和左上方向周期性复制,直至相邻两金属折线之间被完全充满;周期性单元向右、向下方式的周期性复制,直至周期性单元充满整个第一印制电路层的平面;第二印制电路层为第一印制电路层旋转90度得到。本发明显著减小频率选择表面的周期单元尺寸,明显提升多阶谐通带的频率下限。

    一种斜立锥形单极子核电磁脉冲模拟器天线

    公开(公告)号:CN105261821B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201510631604.0

    申请日:2015-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种斜立锥形单极子核电磁脉冲模拟器天线,包括倒圆台状支架,倒圆台状支架的侧围均匀布设若干根辐射线缆,还包括非金属支架,通过非金属支架将倒圆台状支架倾斜固定,倒圆台状支架的中心轴线与竖直方向成18~22角度。采用倒圆台状支架,倒圆台状支架的侧围布设若干根辐射线缆,通过非金属支架将倒圆台状支架倾斜固定,形成斜立锥形单极子核电磁脉冲模拟器天线,使得单极子具有良好的宽频带特性,能够有效地辐射核电磁脉冲模拟器的能量。采用线状结构的辐射线缆,大幅减小了天线的重量和风阻,同时也便于安装,具有更好的环境适应性。

    一种大带宽小尺寸周期单元频率选择表面结构

    公开(公告)号:CN104167576B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201410427029.8

    申请日:2014-08-27

    Abstract: 一种大带宽小尺寸周期单元频率选择表面结构,它包括第一基材、第二基材,第一基材的正面设有上导电层,第一基材与第二基材之间设有中导电层,第二基材的反面设有下导电层,上导电层、中导电层、下导电层分别由上周期单元、中周期单元、下周期单元周期排布构成;上周期单元由左侧的折线和右侧的上层第一导电金属片和上层第二导电金属片构成,中周期单元由中层导电金属片构成,下周期单元由一系列下层平行导电金属线构成,各层周期单元大小相同且上下重叠排列、边缘对齐。本发明频率选择表面利用各导电金属片之间的面面耦合增大分布电容,减小相对尺寸;折线增大分布电感,增大相对通带带宽;下层平行导电金属线增大频率选择表面交叉极化隔离度。

    一种射频前端电磁脉冲防护模块

    公开(公告)号:CN105305972A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510819235.8

    申请日:2015-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种射频前端电磁脉冲防护模块,包括初级高功率限幅模块,所述初级高功率限幅模块包括多层同轴型防护膜片和定向耦合器;每层防护膜片均由同轴型印制电路板和电路板上围绕圆心呈放射状分布的防护链组成,所述防护膜片两侧布置有套在同轴内导体上的圆形磁环,所述防护链上分布着用于脉冲电压抑制的非线性无源防护器件;所述定向耦合器由平行于同轴内导体的耦合线和固定于同轴外导体上的射频输出接头组成。本发明的射频前端电磁脉冲防护模块具有十千瓦级功率承受能力、60dB以上抑制度和亚纳秒级响应特性,能有效解决现有射频前端防护模块存在的承受功率低、抑制度低和响应速度慢的问题。

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