一种Li-MgH2改性铝基复合燃料及其制备方法

    公开(公告)号:CN120004679A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510090097.8

    申请日:2025-01-21

    Abstract: 本发明属于金属燃料粉体领域,具体涉及一种Li‑MgH2改性铝基复合燃料及其制备方法。按重量百分含量计,该复合金属燃烧剂化学组成如下:Li 0.2~2%,MgH25~15%,剩余为Al。采用高能湿法球磨的方法,将MgH2粉体、Li颗粒弥散嵌合于Al基体内部,通过形态控制、微氧化,得到稳定安全且活性较高的一种Li‑MgH2改性铝基复合燃料。本发明所制备的一种Li‑MgH2改性铝基复合燃料颗粒外形呈类球状,表面光滑密实,实测热值与Al粉相当,氧化活性明显优于Al粉,解决火炸药用铝粉燃烧效率低、易团聚等问题,有望得到实际工程应用。

    一种二维介孔(GaN)1-x(ZnO)x固溶体纳米材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108117052B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201611069088.8

    申请日:2016-11-29

    Abstract: 本发明涉及半导体纳米材料领域,具体涉及一种二维介孔(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米材料及其制备方法。(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米材料为多孔的二维纳米片组装而成,形貌呈组装均一的花瓣状结晶良好的单晶结构;二维纳米片呈规则的六角形,二维纳米片的厚度为5~80纳米,二维纳米片的直径为0.5~10微米,二维纳米片的孔径为5~50纳米。该二维介孔(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米材料采用两步法制备而成,具有工艺流程简单,实施方便,可大量合成等优点。本发明制备的(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米材料形貌均一,分散性好,适合构筑薄膜及柔性器件。

    一种基于头发的柔性光学逻辑门及其制造方法

    公开(公告)号:CN109103213A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810879859.2

    申请日:2018-08-03

    Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种基于头发上的柔性光学逻辑门及其制造方法。该柔性光学逻辑门包括第一光电探测器和第二光电探测器,用于分别接收第一光信号和第二光信号。第一光电探测器和第二光电探测器的结构完全一致,均采用以头发为柔性基底的p-n异质结构,通过第一光电探测器和第二光电探测器在电路中的不同方式组合方式,实现逻辑“与门”、逻辑“或门”和逻辑“与非门”处理功能,可应用于柔性非易失性存储、柔性逻辑存储、柔性逻辑处理等诸多领域。本发明利用异质结材料之间精确的能级排布关系,克服ZnO光敏材料紫外光光响应慢的缺点。采用头发作为光学逻辑门的柔性基底,具有工艺简单、成本低、柔性可弯曲等优点。

    一种基于头发的柔性光学逻辑门及其制造方法

    公开(公告)号:CN109103213B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201810879859.2

    申请日:2018-08-03

    Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种基于头发上的柔性光学逻辑门及其制造方法。该柔性光学逻辑门包括第一光电探测器和第二光电探测器,用于分别接收第一光信号和第二光信号。第一光电探测器和第二光电探测器的结构完全一致,均采用以头发为柔性基底的p‑n异质结构,通过第一光电探测器和第二光电探测器在电路中的不同方式组合方式,实现逻辑“与门”、逻辑“或门”和逻辑“与非门”处理功能,可应用于柔性非易失性存储、柔性逻辑存储、柔性逻辑处理等诸多领域。本发明利用异质结材料之间精确的能级排布关系,克服ZnO光敏材料紫外光光响应慢的缺点。采用头发作为光学逻辑门的柔性基底,具有工艺简单、成本低、柔性可弯曲等优点。

    一种耐高温金属陶瓷吸波材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108998689B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201810720263.8

    申请日:2018-07-03

    Abstract: 本发明属于雷达波吸波材料领域,具体为一种耐高温金属陶瓷吸波材料及其制备方法。以硅酸盐无机联结剂为连续相基体,镍基高温合金粉、SiC粉以及导电炭黑为分散相,通过低温固化、高温烧结而成耐高温金属陶瓷吸波材料。本发明的耐高温金属陶瓷吸波材料在厚度为1mm时,其雷达波平板反射率在12.5~18GHz频率段低于‑6dB,表现出非常高效的吸波特性。另外,用本发明方法制备的耐高温吸波材料结构简单、材料的成分和尺寸易于控制、并且制作成本较低,适合工程化应用。

    一种二维MnGa2O4纳米片及其制备方法

    公开(公告)号:CN108117100B

    公开(公告)日:2020-03-20

    申请号:CN201611069087.3

    申请日:2016-11-29

    Abstract: 本发明属于二维纳米材料领域,具体涉及一种二维MnGa2O4纳米片及其制备方法。取硝酸镓和二氯化锰溶解于水和乙二胺的混合溶液中,溶解的混合溶液在反应温度下保温,反应的产物进行多次离心、清洗,最后干燥产物。所制备的MnGa2O4纳米片呈六角片状,边长为1~10微米,厚度为1~50纳米,形貌均一,结晶良好,有较大的比表面积,在柔性器件和反铁磁等领域有着巨大的潜在应用价值。本发明的二维MnGa2O4纳米片是一种全新的二维材料,扩充了二维材料体系,及其应用领域和范围。本发明制备的MnGa2O4纳米片所采用的水热合成法制备工艺,具有工艺流程简单,易于操作,重复性好,能够很好的满足工业化的大批量生产。

    基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法

    公开(公告)号:CN108122999B

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201611068958.X

    申请日:2016-11-29

    Abstract: 本发明涉及一种基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法,属于光电探测器领域。本发明是通过化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长GaN纳米线阵列,然后在GaN纳米线阵列上沉积一层Pt纳米颗粒,最后利用光刻技术在单根沉积有Pt纳米颗粒的GaN纳米线两端沉积一层金属电极。紫外探测器的光电性能测试结果显示,相比于没有Pt纳米颗粒修饰的GaN纳米线紫外光电探测器,有Pt纳米颗粒修饰的GaN纳米线紫外光电探测器显示出更大的光电流、更高的光响应度、外量子效率、开/关比,以及更快的开光速度和更好的光电流稳定性,具有很好的潜在应用。另外,该器件制造工艺简单、重复性强、工艺可控性强、成本低。

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