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公开(公告)号：CN104724704B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510118143.7
申请日：2015-03-18
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B33/021 , C22C21/02
Abstract: 本发明涉及一种强化熔渣精炼提纯合金的方法，特别涉及一种电场强化熔渣精炼提纯硅合金的方法。主要包括：(1)首先预熔熔渣与合金，形成稳定的熔渣与合金双层界面；(2)其次将两根电极分别插入熔渣层和合金层中；(3)在一定温度条件下在电极两端施加电压进行氧化精炼；(4)将精炼所得合金经破碎分离，获得纯化的多晶硅。本发明通过电场作用，解决了熔渣精炼过程中杂质元素分配系数小，传质速率慢的技术难题，大幅度提高了合金中杂质的分离净化效果。
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公开(公告)号：CN104724710B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510118113.6
申请日：2015-03-18
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种合金材料领域去除杂质的方法，特别涉及一种电渣重熔与合金熔析精炼同步提纯工业硅的方法。主要包括：(1)将工业硅与金属熔析剂预熔成合金并做成自耗合金电极；(2)在电渣炉中，利用引弧剂使熔渣剂熔化成渣池，渣池过热后将自耗合金电极浸入渣池中，进行电渣重熔精炼与合金偏析精炼；(3)精炼与凝固结束，获得偏析合金铸锭，经破碎分离，获得纯化的多晶硅。本发明与传统的冶金法相比，除杂效率得到显著提高，而且流程短、设备简单、操作方便，精炼后的材料纯度更高、杂质更少、化学成分与组织结构均匀、致密。电渣重熔过程中，始终有液渣保护，避免了液态合金与大气的直接接触，防止了硅和金属熔析剂的氧化损失。
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公开(公告)号：CN104724704A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510118143.7
申请日：2015-03-18
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B33/021 , C22C21/02
Abstract: 本发明涉及一种强化熔渣精炼提纯合金的方法，特别涉及一种电场强化熔渣精炼提纯硅合金的方法。主要包括：(1)首先预熔熔渣与合金，形成稳定的熔渣与合金双层界面；(2)其次将两根电极分别插入熔渣层和合金层中；(3)在一定温度条件下在电极两端施加电压进行氧化精炼；(4)将精炼所得合金经破碎分离，获得纯化的多晶硅。本发明通过电场作用，解决了熔渣精炼过程中杂质元素分配系数小，传质速率慢的技术难题，大幅度提高了合金中杂质的分离净化效果。
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公开(公告)号：CN104724710A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510118113.6
申请日：2015-03-18
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种合金材料领域去除杂质的方法，特别涉及一种电渣重熔与合金熔析精炼同步提纯工业硅的方法。主要包括：(1)将工业硅与金属熔析剂预熔成合金并做成自耗合金电极；(2)在电渣炉中，利用引弧剂使熔渣剂熔化成渣池，渣池过热后将自耗合金电极浸入渣池中，进行电渣重熔精炼与合金偏析精炼；(3)精炼与凝固结束，获得偏析合金铸锭，经破碎分离，获得纯化的多晶硅。本发明与传统的冶金法相比，除杂效率得到显著提高，而且流程短、设备简单、操作方便，精炼后的材料纯度更高、杂质更少、化学成分与组织结构均匀、致密。电渣重熔过程中，始终有液渣保护，避免了液态合金与大气的直接接触，防止了硅和金属熔析剂的氧化损失。
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