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公开(公告)号：CN102502646B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110304521.2
申请日：2011-10-10
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B33/03
Abstract: 本发明涉及一种快速循环流化床化学气相沉积制备多晶硅的设备及方法，属于化工技术领域。所述设备述为快速循环流化床，主要由上升管、多晶硅产品取出口、原料气入口、旋风分离器、气体出口、沉降管、硅晶种加料口、储料罐、物料循环管、流化气入口、反应区温控系统、储料罐温控系统、流量计A和流量计B组成；所述方法为使用所述设备制备多晶硅的方法，通过使含硅原料气热分解或还原产生单质硅并沉积在原料多晶硅颗粒的表面，控制反应温度，使原料多晶硅颗粒逐步长大，得到产品多晶硅粒。所述设备及方法提高了沉积效率，降低了生产成本；提高了原料气的转化率并降低能耗；通过流量计调节流化气速度，可以控制得到粒径均一的产品多晶硅。
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公开(公告)号：CN107740205A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710947399.8
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: D01F9/10
CPC classification number: D01F9/10 , C04B35/6229
Abstract: 一种复合有机前驱体法制备BN-Si3N4复相陶瓷连续纤维的方法，本发明以聚硼氮烷和聚硅氮烷所制备的复合有机前驱体为原料，聚硅氮烷有机前驱体的含量占有机前驱体总量的5～25wt％；该复合有机前驱体经熔融纺丝、不熔化以及1500℃以上高温热裂解后得到力学性能和介电性能均优异的BN-Si3N4复相陶瓷连续纤维。
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公开(公告)号：CN101734666A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910238263.5
申请日：2009-11-24
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B33/107
Abstract: 针对目前多晶硅产业中西门子法四氯化硅的催化氢化，高能耗，一次转化率低，设备投资高，而现有专利热等离子法和射频感应等离子法四氯化硅氢化法能耗物耗高，不易实现工业化，本发明提供一种用微波等离子氢化四氯化硅制三氯氢硅和二氯氢硅的方法。起弧气氢气、氩气或二者混合气体在微波激励下形成稳定的冷等离子体；等离子体炬在起弧气体的流动下形成等离子体射流；将原料气喷射入等离子射流特定区域，形成一个活性粒子消耗区，在该区域四氯化硅被氢化为三氯氢硅。本发明的方法四氯化硅的一次转化率可达到60％左右，产物后续处理简单，对设备和操作控制的要求不高，易于实现工业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101734666B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910238263.5
申请日：2009-11-24
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B33/107
Abstract: 针对目前多晶硅产业中西门子法四氯化硅的催化氢化，高能耗，一次转化率低，设备投资高，而现有专利热等离子法和射频感应等离子法四氯化硅氢化法能耗物耗高，不易实现工业化，本发明提供一种用微波等离子氢化四氯化硅制三氯氢硅和二氯氢硅的方法。起弧气氢气、氩气或二者混合气体在微波激励下形成稳定的冷等离子体；等离子体炬在起弧气体的流动下形成等离子体射流；将原料气喷射入等离子射流特定区域，形成一个活性粒子消耗区，在该区域四氯化硅被氢化为三氯氢硅。本发明的方法四氯化硅的一次转化率可达到60％左右，产物后续处理简单，对设备和操作控制的要求不高，易于实现工业化。
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公开(公告)号：CN102502646A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110304521.2
申请日：2011-10-10
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B33/03
Abstract: 本发明涉及一种快速循环流化床化学气相沉积制备多晶硅的设备及方法，属于化工技术领域。所述设备述为快速循环流化床，主要由上升管、多晶硅产品取出口、原料气入口、旋风分离器、气体出口、沉降管、硅晶种加料口、储料罐、物料循环管、流化气入口、反应区温控系统、储料罐温控系统、流量计A和流量计B组成；所述方法为使用所述设备制备多晶硅的方法，通过使含硅原料气热分解或还原产生单质硅并沉积在原料多晶硅颗粒的表面，控制反应温度，使原料多晶硅颗粒逐步长大，得到产品多晶硅粒。所述设备及方法提高了沉积效率，降低了生产成本；提高了原料气的转化率并降低能耗；通过流量计调节流化气速度，可以控制得到粒径均一的产品多晶硅。
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公开(公告)号：CN107740205B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710947399.8
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: D01F9/10
Abstract: 一种复合有机前驱体法制备BN‑Si3N4复相陶瓷连续纤维的方法，本发明以聚硼氮烷和聚硅氮烷所制备的复合有机前驱体为原料，聚硅氮烷有机前驱体的含量占有机前驱体总量的5～25wt％；该复合有机前驱体经熔融纺丝、不熔化以及1500℃以上高温热裂解后得到力学性能和介电性能均优异的BN‑Si3N4复相陶瓷连续纤维。
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公开(公告)号：CN106757530B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710062604.2
申请日：2017-01-22
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照交联制备BN纤维的方法及装置，该制备方法包括步骤：(1)以聚硼氮烷有机前驱体为原料经熔融纺丝获得原纤维；(2)原纤维在电子束下辐照，得到电子束辐照交联的BN不熔化纤维；(3)加热上一步处理过的丝束，使残留的自由基进一步反应，失去活性；(4)不熔化纤维进行无机化和陶瓷化，制得BN纤维。本发明中对BN原纤采用新的不熔化处理工艺，经该工艺处理后所得原纤维能够在低温脱碳和高温氮化等后续处理过程中保持纤维形貌，获得结晶性好、介电性能优异的实心的BN纤维；并且能极大地提高BN纤维的力学性能。
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公开(公告)号：CN106757530A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710062604.2
申请日：2017-01-22
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照交联制备BN纤维的方法及装置，该制备方法包括步骤：(1)以聚硼氮烷有机前驱体为原料经熔融纺丝获得原纤维；(2)原纤维在电子束下辐照，得到电子束辐照交联的BN不熔化纤维；(3)加热上一步处理过的丝束，使残留的自由基进一步反应，失去活性；(4)不熔化纤维进行无机化和陶瓷化，制得BN纤维。本发明中对BN原纤采用新的不熔化处理工艺，经该工艺处理后所得原纤维能够在低温脱碳和高温氮化等后续处理过程中保持纤维形貌，获得结晶性好、介电性能优异的实心的BN纤维；并且能极大地提高BN纤维的力学性能。
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