公开(公告)号：CN112701171B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911012637.1

申请日：2019-10-23

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵宇 ,  吴启花 ,  李欣 ,  黄勇

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了红外探测器及其制作方法，所述红外探测器包括衬底、P型超晶格接触层、P型超晶格吸收层、空穴势垒层、N型超晶格接触层、第一电极以及第二电极，所述P型超晶格接触层、P型超晶格吸收层、空穴势垒层以及N型超晶格接触层从下而上叠层设置在衬底上，所述第一电极设置在P型超晶格接触层上，所述第二电极设置在N型超晶格接触层上。其中，所述空穴势垒层为InAs/InPSb超晶格。由此，本发明凭借InAs/InPSb超晶格势垒层完美实现了以无Al结构对空穴的阻挡，有效抑制暗电流的同时，降低了材料生长和加工的难度、提升了器件的稳定性和可靠性。而且，InAs/InPSb超晶格可作为短波、中波和长波红外探测器的空穴势垒层，适用于各类波长的红外探测器，泛用性较强。

公开(公告)号：CN117126277B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311396906.5

申请日：2023-10-26

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 秦静怡 ,  李欣 ,  濮科锋 ,  李炯 ,  顾雅韵

IPC: C07K16/24 ,  G01N33/68 ,  A61K39/395

Abstract: 本发明涉及一种单克隆抗体及其应用。具体来说，本发明提供了抗体或其抗原结合片段，其特异性结合GM‑CSF蛋白。本发明的抗体能够以高亲和力特异性结合GM‑CSF蛋白。

公开(公告)号：CN117126277A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311396906.5

申请日：2023-10-26

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 秦静怡 ,  李欣 ,  濮科锋 ,  李炯 ,  顾雅韵

IPC: C07K16/24 ,  G01N33/68 ,  A61K39/395

Abstract: 本发明涉及一种单克隆抗体及其应用。具体来说，本发明提供了抗体或其抗原结合片段，其特异性结合GM‑CSF蛋白。本发明的抗体能够以高亲和力特异性结合GM‑CSF蛋白。

公开(公告)号：CN112701171A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201911012637.1

申请日：2019-10-23

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵宇 ,  吴启花 ,  李欣 ,  黄勇

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了红外探测器及其制作方法，所述红外探测器包括衬底、P型超晶格接触层、P型超晶格吸收层、空穴势垒层、N型超晶格接触层、第一电极以及第二电极，所述P型超晶格接触层、P型超晶格吸收层、空穴势垒层以及N型超晶格接触层从下而上叠层设置在衬底上，所述第一电极设置在P型超晶格接触层上，所述第二电极设置在N型超晶格接触层上。其中，所述空穴势垒层为InAs/InPSb超晶格。由此，本发明凭借InAs/InPSb超晶格势垒层完美实现了以无Al结构对空穴的阻挡，有效抑制暗电流的同时，降低了材料生长和加工的难度、提升了器件的稳定性和可靠性。而且，InAs/InPSb超晶格可作为短波、中波和长波红外探测器的空穴势垒层，适用于各类波长的红外探测器，泛用性较强。