公开(公告)号：CN116924453A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310712450.2

申请日：2023-06-15

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 ,  闽都创新实验室

Inventor： 王帅华 ,  许谢铭 ,  吴少凡 ,  黄鑫 ,  郑熠 ,  孙宝平

IPC: C01F17/32 ,  C01F17/10 ,  A61B6/00 ,  G01T1/202

Abstract: 本申请公开了一种稀土碘酸盐材料及其制备方法和应用，所述稀土碘酸盐材料的分子式为AxB1‑x(IO3)3，其中，A、B独立地选自三价稀土元素；所述稀土碘酸盐材料的晶相结构为单斜相。该材料具有大的原子序数、大的禁带宽度和稳定的物化性质，因此，对于X射线有强的吸收以及强的抗辐照损伤能力。该方法通过在降温过程中，采取特定的降温速率，从而制得优质晶体。基于稀土碘酸盐材料AxB1‑x(IO3)3制备的直接型X射线探测器在不同的电场强度下具有优异的灵敏度，最大为1301.5μCGy‑1cm‑2。

公开(公告)号：CN110545653B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201910857646.4

申请日：2019-09-09

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  许谢铭 ,  郑熠 ,  王帅华 ,  黄鑫

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明涉及一种金属网栅，所述金属网栅由两种不同旋转角度的基本单元组成；所述两种基本单元按照斐波那契数列的排列规则进行准周期分布。本申请提供的金属网栅在透过率相同的情况下，有效地减小金属网栅的高级次衍射能量分布的不均匀性，使杂散光整体分布更加均匀，进而可提高成像质量。

公开(公告)号：CN110545653A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910857646.4

申请日：2019-09-09

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  许谢铭 ,  郑熠 ,  王帅华 ,  黄鑫

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明涉及一种金属网栅，所述金属网栅由两种不同旋转角度的基本单元组成；所述两种基本单元按照斐波那契数列的排列规则进行准周期分布。本申请提供的金属网栅在透过率相同的情况下，有效地减小金属网栅的高级次衍射能量分布的不均匀性，使杂散光整体分布更加均匀，进而可提高成像质量。

公开(公告)号：CN115261993B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202210688934.3

申请日：2022-06-16

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 王帅华 ,  许谢铭 ,  黄鑫 ,  吴少凡 ,  郑熠

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/08 ,  C30B7/10 ,  G01T1/16

Abstract: 本申请公开了一种二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶及其制备方法和应用，属于半导体X射线探测器领域。所述二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶为二维层状结构。该单晶具有二维结构，具有高离子迁移扩散势垒的二维钙钛矿材料在大偏置电压下依旧有较小的暗电流和稳定性。该方法通过在降温过程中，采取特定的降温速率，从而制得具有二维层状结构、优异结晶性的毫米级单晶。该单晶在9MeV高能X射线探测器中的应用，该探测器在不同的电场强度下，X射线探测器具有优异的灵敏度，最大为46.9μCGy‑1cm‑2；在‑0.58Vμm‑1外加偏压下，经过9.0Gy的9MeV高能射线辐照，信号波动幅度小于1％。

公开(公告)号：CN115261993A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210688934.3

申请日：2022-06-16

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 王帅华 ,  许谢铭 ,  黄鑫 ,  吴少凡 ,  郑熠

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/08 ,  C30B7/10 ,  G01T1/16

Abstract: 本申请公开了一种二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶及其制备方法和应用，属于半导体X射线探测器领域。所述二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶为二维层状结构。该单晶具有二维结构，具有高离子迁移扩散势垒的二维钙钛矿材料在大偏置电压下依旧有较小的暗电流和稳定性。该方法通过在降温过程中，采取特定的降温速率，从而制得具有二维层状结构、优异结晶性的毫米级单晶。该单晶在9MeV高能X射线探测器中的应用，该探测器在不同的电场强度下，X射线探测器具有优异的灵敏度，最大为46.9μCGy‑1cm‑2；在‑0.58Vμm‑1外加偏压下，经过9.0Gy的9MeV高能射线辐照，信号波动幅度小于1％。

公开(公告)号：CN118625547A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410902838.3

申请日：2024-07-05

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 黄鑫 ,  郑熠 ,  王帅华 ,  吴少凡 ,  许谢铭 ,  陈旻

IPC: G02F1/095 ,  G02F1/01

Abstract: 本申请公开了一种具备保护装置的磁光波导隔离器及其使用方法，包括上挡板，所述上挡板的下表面依次设置有上导层、中导层、下导层和衬底，在隔离器本体的外部设置了保护装置，该保护装置主要由上挡板、连接部等结构组成，使用隔离器时，在下柱内部的电机及伸缩柱的作用下，上挡板会向上移动，离开隔离器本体的表面，并在通过内部的电机，将上挡板向外部打开，随即隔离器开始工作，同时在不使用隔离器时，可以将上挡板覆盖在其表面位置，保护其本体免受外部设备的损坏，提高了整体设备的安全性，在隔离器本体的下部设置了衬底，并且在衬底的前后分别开设固定孔，用于将隔离器固定安装在配合使用的其他设备上，达到固定更加稳定的目的。