公开(公告)号：CN104532351B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410736800.X

申请日：2014-12-05

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 张明建 ,  郭国聪 ,  曾卉一 ,  范玉航 ,  李淑芳 ,  李丙轩

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  G01V8/10 ,  H01S3/16

Abstract: 本申请公开了一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用。该材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度(粒度50‑100微米)可达同粒度AgGaS2的1～3倍。该材料的粉末激光损伤阈值可达同粒度AgGaS2的100～260倍，同粒度KTiOPO4(KTP)的1～3倍。

公开(公告)号：CN103484938B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201210526093.2

申请日：2012-12-10

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 张明建 ,  郭国聪 ,  曾卉一 ,  姜小明 ,  范玉航 ,  刘彬文

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  C01G15/00 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37 ,  G02F1/39

CPC classification number: G02F1/3551 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明提供一种单斜相的高温固相硼硫化制备方法，包括如下步骤：Ga2O3、B和S按照1：2：3的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40℃/h的速率升温至850-980℃，恒温48-144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃，洗掉副产物B2O（3 优选用热水洗涤），制得单斜相Ga2S3微晶。本发明还提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激

公开(公告)号：CN103484938A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201210526093.2

申请日：2012-12-10

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 张明建 ,  郭国聪 ,  曾卉一 ,  姜小明 ,  范玉航 ,  刘彬文

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  C01G15/00 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37 ,  G02F1/39

CPC classification number: G02F1/3551 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明提供一种单斜相的高温固相硼硫化制备方法，包括如下步骤：Ga2O3、B和S按照1：2：3的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40℃/h的速率升温至850-980℃，恒温48-144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃，洗掉副产物B2O3（优选用热水洗涤），制得单斜相Ga2S3微晶。本发明还提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激光损伤阈值为174MW/cm2，高于AGS和LIS，可作为良好的非线性光学晶体材料。

公开(公告)号：CN106757303A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611092241.9

申请日：2012-12-10

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 张明建 ,  郭国聪 ,  曾卉一 ,  姜小明 ,  范玉航 ,  刘彬文

IPC: C30B1/10 ,  C30B29/46 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37

CPC classification number: G02F1/3551 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。所述单斜相Ga2S6晶体的空间群为Cc，单胞参数为α＝90°，β＝121.15(9)°，γ＝90°，Z＝4。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激光损伤阈值为174MW/cm2，高于AGS和LIS，可作为良好的非线性光学晶体材料。

公开(公告)号：CN104532351A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410736800.X

申请日：2014-12-05

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 张明建 ,  郭国聪 ,  曾卉一 ,  范玉航 ,  李淑芳 ,  李丙轩

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  G01V8/10 ,  H01S3/16

CPC classification number: C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  G01V8/10 ,  H01S3/16

Abstract: 本申请公开了一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用。该材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度(粒度50-100微米)可达同粒度AgGaS2的1～3倍。该材料的粉末激光损伤阈值可达同粒度AgGaS2的100～260倍，同粒度KTiOPO4(KTP)的1～3倍。