一种富氧空位二氧化锰纳米片的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN114195195B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202111335184.3

    申请日:2021-11-11

    Abstract: 本发明公开了一种含氧空位的二氧化锰纳米片的制备方法,及其在锌离子电池中的应用。所述含氧空位的二氧化锰纳米片,主要通过锰基配位聚合物前驱体进行室温碱性环境下的水解得到,本发明首次克服了传统二氧化锰制备工艺中需要使用强氧化剂,且反应须在高温高压条件下进行的缺点,具有制备方法简单,成本低,易于宏量制备等优点。使用本发明所制备的含氧空位的二氧化锰纳米片,表现出了优异的锌离子储存性能,锌离子电池性能测试表明,在100mA g‑1的电流密度下,表现出了282.2mAhg‑1的高比容量和良好的电化学循环性能。

    一种富氧空位二氧化锰纳米片的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN114195195A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111335184.3

    申请日:2021-11-11

    Abstract: 本发明公开了一种含氧空位的二氧化锰纳米片的制备方法,及其在锌离子电池中的应用。所述含氧空位的二氧化锰纳米片,主要通过锰基配位聚合物前驱体进行室温碱性环境下的水解得到,本发明首次克服了传统二氧化锰制备工艺中需要使用强氧化剂,且反应须在高温高压条件下进行的缺点,具有制备方法简单,成本低,易于宏量制备等优点。使用本发明所制备的含氧空位的二氧化锰纳米片,表现出了优异的锌离子储存性能,锌离子电池性能测试表明,在100mA g‑1的电流密度下,表现出了282.2mAhg‑1的高比容量和良好的电化学循环性能。

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