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公开(公告)号：CN113764978B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202111034170.8
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及调频连续激光技术领域，具体涉及一种调频连续激光光源，按照光输出方向，顺次包括可调谐窄线宽激光器、第一半导体光放大器、调制器、波长选择反射器和光学相控阵列。本发明通过腔外调制扫频，不影响光源相关性，理论上只产生两个窄线宽纵模分量的光，不会产生其他高阶谐波分量，通过波长选择可以实现窄线宽、可大范围波长调谐、可高速线性扫频的扫描激光源，且扫描速度快。
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公开(公告)号：CN109580189B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201910059715.7
申请日：2019-01-22
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请公开了一种用于激光二极管的自动焦距测量装置及其测量方法，包括：测量模块，用于测量待测激光二极管耦合进入耦合部件中的光功率；运动耦合机构，用于移动耦合部件；上位机，用于控制耦合部件移动以测量任一Z轴坐标下，X‑Y平面内耦合部件与待测激光二极管的最大耦合光功率值，根据测量结果及耦合部件的位置坐标获得待测激光二极管的焦距和/或空间偏向角；上位机分别与测量模块和运动耦合机构电连接。该装置实现了对TO‑LD或LD的焦距和与空间偏向角的自动准确测量。本申请的有一方面还提供了该装置的测量方法。
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公开(公告)号：CN107863686B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201711124430.4
申请日：2017-11-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01S5/026
Abstract: 本公开涉及一种二极管激光器与背光探测器集成的方法，该方法包括：形成脊的步骤，形成隔离区的步骤，SiN填充隔离区的步骤，蒸发P、N型电极的步骤，合金的步骤，镀膜的步骤。本公开还涉及上述制备方法制得二极管激光器与背光探测器(LD‑MPD)集成的芯片。本发明制备的芯片具有光功率高，探测功率高，隔离效果好，耦合效率高，暗电流小的特点。
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公开(公告)号：CN106329311B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201611001113.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01S5/065
Abstract: 本发明涉及一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器，所述激光器采用脊波导结构，在该脊波导结构的脊上依次形成脊增益区、脊波导电隔离区和脊波导饱和吸收区；在所述脊增益区侧边的任意位置形成侧边可调增益/吸收区。侧边可调增益/吸收区根据施加电压的不同，可为增益区，也可为吸收区。本发明利用侧边吸收区所具有的光吸收特性，减小脊波导侧边近波长或亚波长量级的凹凸结构对光产生的散射或者衍射；利用侧边吸收区所具有的饱和吸收特性，有效压缩脉冲宽度；利用侧边脊增益区的增益放大特性，提高光脉冲的输出功率。从而实现锁模激光器高质量超短脉冲的输出，同时适当降低对制备工艺精度的要求，简化了激光器性能测试时电流电压复杂的调试。
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公开(公告)号：CN112229814A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910637843.5
申请日：2019-07-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G01N21/3581 , G01N21/41 , G01B11/06 , G01R27/02
Abstract: 本发明属于材料太赫兹频率范围光电相关性能测试技术领域，具体涉及一种太赫兹光谱测量方法、测量装置及其用途。本发明提供一种太赫兹光谱的测量装置，包括两频差在太赫兹波段的差频激光源、太赫兹发射天线、太赫兹接收天线、偏置电压电路、太赫兹光学系统、信号输出采集电路和相位或光程调节系统。本发明还提供使用所述测量装置测量太赫兹光谱的方法，以及所述装置和方法的用途。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108110612A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810130079.8
申请日：2018-02-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01S5/0687
Abstract: 本发明涉及一种基于马赫‑增德尔干涉仪的无调制稳频方法和装置，其中，半导体激光器根据激光器驱动电路提供的驱动电流或驱动电压产生一束激光，并发出所述产生的激光；马赫‑增德尔干涉仪装置对半导体激光器发出的激光进行分束和延迟处理，并输出两束有不同相位延迟的光信号；鉴频信号处理单元检测输出的所述两束光信号，得到两路电信号，并根据检测得到的所述两路电信号，产生误差信号；激光器控制微处理单元接收鉴频信号处理单元产生的误差信号，并将其转化为调节信号；激光器驱动电路根据所述调节信号产生驱动电流或驱动电压，并提供给半导体激光器，调节半导体激光器的工作状态。本发明光路结构简单，抗干扰能力强，并且电路结构简单。
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公开(公告)号：CN106329311A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201611001113.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01S5/065
CPC classification number: H01S5/0657
Abstract: 本发明涉及一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器，所述激光器采用脊波导结构，在该脊波导结构的脊上依次形成脊增益区、脊波导电隔离区和脊波导饱和吸收区；在所述脊增益区侧边的任意位置形成侧边可调增益/吸收区。侧边可调增益/吸收区根据施加电压的不同，可为增益区，也可为吸收区。本发明利用侧边吸收区所具有的光吸收特性，减小脊波导侧边近波长或亚波长量级的凹凸结构对光产生的散射或者衍射；利用侧边吸收区所具有的饱和吸收特性，有效压缩脉冲宽度；利用侧边脊增益区的增益放大特性，提高光脉冲的输出功率。从而实现锁模激光器高质量超短脉冲的输出，同时适当降低对制备工艺精度的要求，简化了激光器性能测试时电流电压复杂的调试。
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公开(公告)号：CN106329310A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201611014075.0
申请日：2016-11-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: H01S5/0602 , H01S5/0604 , H01S5/0657 , H01S5/343
Abstract: 本发明涉及一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器，该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构，在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区，所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间，所述吸收区的一部分、所述电隔离区以及所述增益区的一部分构成多模干涉区，或者所述增益区的一部分构成多模干涉区。本发明提出的锁模半导体激光器能得到高功率的超短脉冲，且制作简单，利于光学集成。
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公开(公告)号：CN106067592A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610631091.8
申请日：2016-08-04
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01Q1/36 , H01Q21/00 , H01Q7/00 , G01N21/3581
CPC classification number: H01Q1/36 , G01N21/3581 , H01Q7/00 , H01Q21/00
Abstract: 本发明涉及一种收发一体的太赫兹天线，该太赫兹天线包括太赫兹辐射材料和环形分布的多极天线；所述多极天线由多块金属电极组成，该多块金属电极形成环形对称分布结构，其中该多块金属电极的数量大于等于3；所述环形分布的多极天线位于所述太赫兹辐射材料的上表面，并平行于太赫兹辐射材料表面分布，该多块金属电极环绕形成中心间隙区；所述太赫兹辐射材料上形成光照区，该光照区位于该中心间隙区。本发明还涉及该太赫兹天线的制造方法和太赫兹测量系统。本发明提出的天线能够同时实现太赫兹辐射的收发。
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公开(公告)号：CN106711761B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710031147.0
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种DFB半导体激光器制备方法，包括以下步骤：步骤S11、制备外延片：外延片采用波导和有源区结构；步骤S12、制备基片：在外延片表面的光栅层上制备均匀的部分光栅，并对光栅进行掩埋生长；步骤S13、制备脊型波导：对基片进行脊型控制腐蚀，制备多个脊型波导。本发明还涉及该方法制得的DFB半导体激光器。本发明在制备脊型波导结构时在单颗管芯靠近其中间位置制备多个脊型波导，多个脊型波导相互独立，并且有各自的电流注入区域，其中只要有一个脊型波导的出光特性合格，则该管芯合格，由此制备的芯片工艺简便、与常规工艺兼容，能大幅有效地提高DFB半导体激光器的成品率。
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