公开(公告)号：CN102076892B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN200880129907.0

申请日：2008-10-08

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 陈长章 ,  洪茂椿 ,  李定 ,  林海南 ,  蔡诗聪

IPC: C30B29/22 ,  C30B15/00 ,  C30B17/00 ,  H01S3/16

CPC classification number: C30B29/22 ,  C01B33/113 ,  C01B35/10 ,  C01B35/121 ,  C01B35/126 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/72 ,  C09K11/647 ,  C30B9/12 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  G02F1/0027 ,  G02F1/3551

Abstract: 本发明涉及人工晶体领域，尤其涉及低温相偏硼酸钡掺杂单晶体及其生长方法和变频器件。采用熔盐法生长。该单晶完全克服了BBO潮解性强的缺点，几乎不潮解；其倍频效应和光损伤阈值相对于BBO有较大提高；硬度显著增大，该单晶体的肖氏硬度为101.3，莫氏硬度为6，而BBO的肖氏硬度为71.2，莫氏硬度为4。从可见一紫外光区透过率曲线测试，该单晶体的截止波长为190nm，开始吸收波长为205nm。这些优于BBO的性能，可能使BBSAG在激光非线性光学领域、紫外、深紫外变频器件方面，有广阔的前景。

公开(公告)号：CN102076892A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200880129907.0

申请日：2008-10-08

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 陈长章 ,  洪茂椿 ,  李定 ,  林海南 ,  蔡诗聪

IPC: C30B29/22 ,  C30B15/00 ,  C30B17/00 ,  H01S3/16

CPC classification number: C30B29/22 ,  C01B33/113 ,  C01B35/10 ,  C01B35/121 ,  C01B35/126 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/72 ,  C09K11/647 ,  C30B9/12 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  G02F1/0027 ,  G02F1/3551

Abstract: 本发明涉及人工晶体领域，尤其涉及低温相偏硼酸钡掺杂单晶体及其生长方法和变频器件。采用熔盐法生长。该单晶完全克服了BBO潮解性强的缺点，几乎不潮解；其倍频效应和光损伤阈值相对于BBO有较大提高；硬度显著增大，该单晶体的肖氏硬度为101.3，莫氏硬度为6，而BBO的肖氏硬度为71.2，莫氏硬度为4。从可见一紫外光区透过率曲线测试，该单晶体的截止波长为190nm，开始吸收波长为205nm。这些优于BBO的性能，可能使BBSAG在激光非线性光学领域、紫外、深紫外变频器件方面，有广阔的前景。