-
公开(公告)号：CN104332539B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410299430.8
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L33/502
Abstract: 本发明提出了一种GaN基LED外延结构及其制造方法。所述GaN基LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底。通过使用稀土元素掺杂Re3Al5O12衬底，使得LED外延结构的光电效率提高、并且降低了器件的发热量；由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本；通过先外延、然后图形化衬底、再进行侧向生长GaN基外延结构降低了外延结构的缺陷密度。
-
公开(公告)号：CN104332539A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410299430.8
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/08 , H01L33/00 , H01L33/025
Abstract: 本发明提出了一种GaN基LED外延结构及其制造方法。所述GaN基LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底。通过使用稀土元素掺杂Re3Al5O12衬底，使得LED外延结构的光电效率提高、并且降低了器件的发热量；由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本；通过先外延、然后图形化衬底、再进行侧向生长GaN基外延结构降低了外延结构的缺陷密度。
-
公开(公告)号：CN104084594A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410246608.2
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明涉及一种制备微细球形铌粉的方法，所述方法包括：首先，形成稳定氩等离子体，调节各项参数以控制等离子体在反应器内的分布；然后送入铌原粉，铌粉经过等离子区域，颗粒受热熔化；离开等离子区后迅速冷却固化，得到微细球形铌粉。和不规则颗粒形状的原粉相比，粉体颗粒大多数呈球形，流动性、颗粒密度、纯度更高，颗粒表面光洁，颗粒孔隙率低；本发明提出的方法改变了铌粉颗粒的形状，球化率高，并且增加了粉末的表观密度，增加了铌粉流动性，提高了铌粉的物理性能，同时不会改变铌粉的物相，有利于一些领域中应用，并且成本低廉。
-
公开(公告)号：CN102531023A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110247327.5
申请日：2011-08-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种纳米片状氧化钇粉体制备方法，其特征在于配制含钇无机酸盐溶液，调配该含钇无机酸盐的溶度至0.1-0.5mol/L，用碱液调节PH值，直至成为白色胶状悬浮液，然后转移到水热反应釜中，在80-200℃温度下水热处理24-48h；冷却至室温后，离心分离出前驱体；将前驱体去离子水清洗4-6次，醇洗3-5次，以充分去除残留的酸根离子类杂质；室温下干燥，后在600-800℃煅烧3-6h，得到纳米片状氧化钇粉体。采用本发明所制备的片状氧化钇粉体分散性好，粒径为100-300nm，片厚为10-20nm，晶粒直径与片厚比为10-30。所制备的纳米片状氧化钇粉体可用作织构化陶瓷的模板材料和陶瓷添加剂，也可用于制备耐高温耐腐蚀的结构材料。该方法成本低，工艺简单，反应温度和压力低，颗粒呈片状，粒径在纳米级且分布均匀，分散效果好，纯度高，适合于工业化生产。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.025 seconds)
