公开(公告)号：CN114262443B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202111396959.8

申请日：2021-11-23

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  古奇 ,  王帅华 ,  黄鑫 ,  郑熠

IPC: C08G83/00 ,  G01T1/20

Abstract: 本申请为一种镧系金属有机框架材料，其合成方法和应用，公开了一种水热法制备Ln(bmb)3·H2O(Ln＝Tb、Eu)晶体的方法，是制备基于镧系元素的新型配合物闪烁材料的一种优质途径，其中Hbmb为有机配体3‑(苯并咪唑‑1‑基)苯甲酸，本申请还公开了所述方法合成Ln(bmb)3·H2O(Ln＝Tb、Eu)晶体的具体过程。本申请方法得到的闪烁晶体在单斜晶系P21/c空间群中结晶，外形为微米级片状晶体，拥有良好的X射线闪烁性能，可作为新型辐射探测闪烁体的优秀候选材料。

公开(公告)号：CN114805837B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202210495315.2

申请日：2022-05-07

Applicant: 闽都创新实验室 ,  中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 王帅华 ,  古奇 ,  吴少凡 ,  黄鑫 ,  郑熠

IPC: C08G83/00

Abstract: 本申请公开了一种金属有机框架材料半导体晶体，所述半导体晶体的化学式为C36H32N2O11Pb2，分子的结构式为：Pb2(TCPE)(DMF)2·H2O；本发明方法得到的半导体单晶在单斜晶系P21/n空间群中结晶，外形为微米级片状晶体。其拥有良好的X射线直接探测性能，探测灵敏度在50V的偏压下高达4812.6μC Gyair‑1·cm‑2，最低检测限在20V的偏压下为0.09329μGyair/s，可作为新型辐射探测半导体的优秀候选材料。

公开(公告)号：CN114262443A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111396959.8

申请日：2021-11-23

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  古奇 ,  王帅华 ,  黄鑫 ,  郑熠

IPC: C08G83/00 ,  G01T1/20

Abstract: 本申请为一种镧系金属有机框架材料，其合成方法和应用，公开了一种水热法制备Ln(bmb)3·H2O(Ln＝Tb、Eu)晶体的方法，是制备基于镧系元素的新型配合物闪烁材料的一种优质途径，其中Hbmb为有机配体3‑(苯并咪唑‑1‑基)苯甲酸，本申请还公开了所述方法合成Ln(bmb)3·H2O(Ln＝Tb、Eu)晶体的具体过程。本申请方法得到的闪烁晶体在单斜晶系P21/c空间群中结晶，外形为微米级片状晶体，拥有良好的X射线闪烁性能，可作为新型辐射探测闪烁体的优秀候选材料。

公开(公告)号：CN114805837A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210495315.2

申请日：2022-05-07

Applicant: 闽都创新实验室 ,  中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 王帅华 ,  古奇 ,  吴少凡 ,  黄鑫 ,  郑熠

IPC: C08G83/00

Abstract: 本申请公开了一种金属有机框架材料半导体晶体，所述半导体晶体的化学式为C36H32N2O11Pb2，分子的结构式为：Pb2(TCPE)(DMF)2·H2O；本发明方法得到的半导体单晶在单斜晶系P21/n空间群中结晶，外形为微米级片状晶体。其拥有良好的X射线直接探测性能，探测灵敏度在50V的偏压下高达4812.6μC Gyair‑1·cm‑2，最低检测限在20V的偏压下为0.09329μGyair/s，可作为新型辐射探测半导体的优秀候选材料。