化合物氟硼酸铵铷和氟硼酸铵铷非线性光学晶体及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN116288710A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310154913.8

    申请日:2023-02-23

    Abstract: 本发明涉及一种化合物氟硼酸铵铷和氟硼酸铵铷非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为(NH4)xRb2‑xB8O12F2(0<x<2),采用真空封装法制备;该晶体化学式为(NH4)xRb2‑xB8O12F2(0<x<2),属于正交晶系,空间群为Pna21,单胞参数为a=7.6377(5)±0.04Å,b=11.2135(6)±0.02Å,c=6.6099(3)±0.02Å,Z=2;采用真空封装法,室温溶液法或水热法生长晶体,该晶体紫外透过截止边低于190 nm。非线性光学效应约为KH2PO4(KDP)的1.2‑2.5倍。该晶体制备方法简单,所使用的起始原料毒性低,对人体危害小,物化性质稳定等优点。在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。

    化合物氟硼酸锂钠和氟硼酸锂钠双折射晶体及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN115386954A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211133354.4

    申请日:2022-09-17

    Abstract: 本发明提供一种化合物氟硼酸锂钠和氟硼酸锂钠双折射晶体及制备方法和用途,所述化合物的化学式为Li2NaB5O8F2,分子量为256.92,采用固相合成法或真空封装法制成;该晶体的化合物的化学式为Li2NaB5O8F2,分子量为256.92,属于正交晶系,空间群为Pbcn,晶胞参数为a=8.815(6)Å,b=9.540(6)Å,c=8.300(4)Å,α=90°,β=90°,γ=90°,单胞体积为674.04(10)Å3,采用熔体法,高温熔液法,真空封装法,水热法或室温溶液法生长晶体,该晶体的化学稳定性良好,能够用于制作各种用途的偏光棱镜,相位延迟器件和电光调制器件,例如,格兰棱镜、偏振分束器、补偿器、光隔离器环形器和光学调制器等,在光学和通讯领域有重要作用。

    硒镓锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114457427A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202210144388.7

    申请日:2022-02-17

    Abstract: 本发明涉及一种硒镓锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体的化学式为LiGaSe2,分子量为469.16,结晶于四方晶系,空间群为非中心对称空间群I2d,晶胞参数为a=5.843(2)Å,b=5.843(2)Å,c=10.614(8)Å,α=β=γ=90°,Z=2,V=362.4(4)Å3。采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法制备,其结构由[LiSe4]和[GaSe4]四面体基元构成,可用于制备红外波段激光频率的转换、红外激光制导、红外激光雷达、能源探测、远距离激光通讯等。所获得的硒镓锂中远红外非线性光学晶体具有优异的光学性能(长的红外吸收边,大的非线性系数)。在红外激光系统中具有重要的应用价值。

    硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108588840A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810618675.0

    申请日:2018-06-15

    Abstract: 本发明涉及一种硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用,该晶体的化学式为BaB2S4,分子量为287.20,非中心对称结构单晶,晶系为正交晶系,空间群为Cc,晶胞参数a=6.665(3)Å,b=15.727(6)Å,c=6.039(2)Å,β=110.987(4)°,Z=4,单胞体积V=591.0(4)Å3。采用将硫化钡或单质钡,单质硼,单质硫在真空条件下进行固相反应法和高温熔融法制备粉末纯样和单晶;通过本发明所述方法获得的硼硫化钡中远红外非线性光学晶体的纯样XRD图与理论值吻合;在2090nm的激光下,倍频效应是AgGaS2的0.7倍;获得毫米级晶体。

    一种氟化钇深紫外双折射晶体的生长方法和应用

    公开(公告)号:CN118996600A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411226897.X

    申请日:2024-09-03

    Abstract: 本发明涉及一种氟化钇深紫双折射晶体的生长方法和应用。该晶体的化学式为YF3,分子量为145.90,晶体为正交晶系,空间群为Pnma,晶胞参数a=6.3537(7) Å,b=6.8545(7) Å,c=4.3953(4) Å,β=90,Z=4,单胞体积V=191.42 Å3。采用真空条件生长晶体;通过本发明所述方法获得的氟化钇深紫双折射晶体,可用于制作格兰型棱镜、光分离偏振器等偏振分束棱镜和光隔离器、环形器、光束位移器等光学元件,在光学和通讯领域有重要应用;在1064 nm处双折射为0.051,双折射是MgF2的4倍。

    化合物羟基氟化硼酸铵和羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN116121869B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202310154647.9

    申请日:2023-02-23

    Abstract: 本发明提供一种化合物羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途,所述化合物的化学式为(NH4)2B3O3F4(OH),分子量为209.52,采用水热法或室温溶液法制成,属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数为a=20.151(9)Å,b=7.770(3)Å,c=11.519(5)Å,α=90°,β=117.225(5)°,γ=90°,单胞体积为1603.7(12)Å3,采用水热法或室温溶液法生长晶体,通过该方法获得的(NH4)2B3O3F4(OH)双折射晶体,紫外截止边低于200 nm,双折射率为0.049@1064 nm,该晶体的化学稳定性良好,能够用于制作各种用途的偏光棱镜,相位延迟器件和电光调制器件,例如,格兰棱镜、偏振分束器、补偿器、光隔离器环形器和光学调制器等,在光学和通讯领域有重要作用。

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