公开(公告)号：CN118937853A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411161173.1

申请日：2024-08-22

Applicant: 中国科学院新疆天文台 ,  杭州电子科技大学

Inventor： 刘奇 ,  唐仁凯 ,  董晓玉 ,  郑献泽 ,  李蓉 ,  王娜

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明涉及一种超高屏蔽效能测量方法，包括：步骤S1，搭建屏蔽效能测量系统；步骤S2，测量信号源发射信号频率与信号分析仪对应接收信号频率的频率偏差，对进行屏蔽效能测量时设定的所有测试频点对应的频率进行频偏补偿；步骤S3，完成频偏补偿后，对信号分析仪进行1dB压缩点测试，获取信号分析仪在所有测试频点下的1dB压缩点功率，计算信号源在所有测试频点下的动态匹配功率；步骤S4，搭建参考电平测量系统，测量信号分析仪在所有测试频点下的参考电平；步骤S5，在屏蔽效能测量系统中测量经过屏蔽后所有测试频点对应的功率值，并根据参考电平，获取待测屏蔽室的屏蔽效能。本发明实现了超高性能屏蔽效能测量要求。

公开(公告)号：CN118171348A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410178488.0

申请日：2024-02-09

Applicant: 中国科学院新疆天文台 ,  杭州电子科技大学

Inventor： 刘奇 ,  唐仁凯 ,  蔡明辉 ,  李蓉 ,  苏晓明 ,  王娜

IPC: G06F30/13 ,  G06F17/15

Abstract: 本发明提供一种用于混合屏蔽结构墙体的屏蔽效能计算方法，其包括设定混合屏蔽结构墙体和初始电磁波的参数，确定金属丝网等效阻抗，确定电磁波入射到金属丝网的前表面时的入射角，确定不同极化方向下的金属丝网等效阻抗，确定不同极化方向下的金属丝网整体阻抗，确定不同极化下的金属丝网的透射系数，确定混合屏蔽结构墙体的材料层对于电磁波的总透射系数，确定混合屏蔽墙体透射系数，得到一维数组的形式的混合屏蔽墙体透射系数，最终确定不同极化下该频点的对应频率的屏蔽效能。本发明的屏蔽效能计算方法考虑了磁波入射角对屏蔽效能的影响，提高建筑屏蔽墙体的计算结果的准确性。

公开(公告)号：CN118102690A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410120763.3

申请日：2024-01-29

Applicant: 中国科学院新疆天文台 ,  杭州电子科技大学

Inventor： 刘奇 ,  李蓉 ,  郑献泽 ,  彭思浓 ,  唐仁凯 ,  刘圣凯 ,  解展鹏 ,  卢钰清

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明提供一种射电望远镜旋转式换馈系统的屏蔽系统，包括屏蔽机房、以及安装于屏蔽机房顶部的自上而下依次设置的转动圆盘屏蔽装置、衔接屏蔽结构和加固屏蔽装置；所述衔接屏蔽结构与转动圆盘屏蔽装置配合，所述衔接屏蔽结构上设有开口向上的第一齿槽结构，所述转动圆盘屏蔽装置上设有与第一齿槽结构交错设置的开口向下的第二齿槽结构；所述加固屏蔽装置包括安装于衔接屏蔽结构的第一齿槽结构与转动圆盘屏蔽装置的第二齿槽结构之间的缝槽处的缝槽填充环。本发明的屏蔽系统通过齿槽结构的交错设置以及缝槽填充环的设置，能够抑制换馈系统的接收机安装与圆盘旋转产生的孔缝电磁泄漏，进而实现接收机房内部各类电子设备的电磁屏蔽。

公开(公告)号：CN118052181A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410164951.6

申请日：2024-02-05

Applicant: 中国科学院新疆天文台

Inventor： 刘奇 ,  胡茂振 ,  董晓玉 ,  马凌 ,  唐仁凯 ,  苏晓明 ,  王娜

IPC: G06F30/3323 ,  G06F17/11 ,  G06F17/16

Abstract: 本发明提出一种基于BLT方程的带孔多层腔体屏蔽效能计算方法，包括：获取与多层屏蔽腔体的屏蔽效能相关的物理参数；建立多层屏蔽腔体的等效电路；建立多层屏蔽腔体的等效模型的信号流图，进而建立与求解BLT方程，得到多种传播模式下的监测点两端的入射电压波向量和反射电压波向量之和；根据入射电压波向量和反射电压波向量之和来确定监测点的总电压，进而确定屏蔽效能的计算公式；将物理参数代入屏蔽效能的计算公式，得到屏蔽效能的计算值。基于BLT方程的带孔缝多层腔体屏蔽效能计算方法用于实现多层屏蔽腔体的屏蔽效能的计算，能满足射电望远镜多层屏蔽方案屏蔽效能计算需求。

公开(公告)号：CN116443806A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310287939.X

申请日：2023-03-23

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李蓉 ,  吴占彬 ,  汪子悦 ,  陆伟 ,  翁佳豪 ,  唐仁凯 ,  张巨勇

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法，主要由盖帽、表面微结构、铜环、圆柱阵列以及置于盖帽内的水平延展平台、水平网状结构、陶瓷基板、MEMS芯片、压电薄膜、微型温度传感器、焊球和ASIC芯片组成。本发明将ASIC芯片区域的热量经水平网状结构和水平延展平台向盖帽水平传递；水平延展平台上垂直焊接的圆柱阵列使ASIC芯片区域的热量向上传导至铜环，铜环上焊接的表面微结构增加盖帽上表面的对流换热面积，加快对流换热效率；其中，MEMS芯片的环槽内位于ASIC芯片区域上方粘接的微型温度传感器对ASIC芯片区域的温度进行实时监测。