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公开(公告)号:CN118584642A
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202410860190.8
申请日:2024-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种表面等离激元共振显微镜系统的聚焦方法,包括:对显微镜系统进行预聚焦处理;在SPR激发状态下,采集成像图像中反射光斑与光轴位置之间的垂直偏移距离,所述光轴位置为透镜组的光轴在成像图像中的交点位置;在垂直偏移距离不为零时,将所述垂直偏移距离代入至辅助聚焦函数中,以确定实际离焦量;根据所述实际离焦量调控压电位移台的位置,使所述显微镜系统聚焦。本公开通过建立反射光斑的位置与离焦量之间的关系,实时进行反射光斑位置的监测,并计算实际离焦量,以进行即时的压电位移台的位置调整,使压电位移台所夹持的待测物平面与透镜组的焦平面维持重合状态,有效提升了SPRM系统的对焦效率,普适性和实用性更佳。
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公开(公告)号:CN112525806B
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202011120179.6
申请日:2020-10-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N15/14
Abstract: 本发明公开了一种流式细胞检测装置、制备方法及系统,该装置包括:表面等离激元激发芯片,用于在偏振光的照射下激发表面等离激元,包括透明基底,以及基底表面附着的金属膜层;细胞通道,包括流入通道、压缩通道和回收通道,细胞通道与所述芯片的附着有金属膜层的一面键合形成不透水密闭空间。其中,压缩通道的覆盖区域附着有金属膜层。当该装置处于工作状态时,利用溶液搭载的待测细胞从流入通道流入,进入压缩通道,以保持与所述金属膜层接触的状态通过目标检测区域,由回收通道流出。通过该装置能够有效地实现单个待测细胞表面折射率的快速检测。
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公开(公告)号:CN115884653A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211611202.0
申请日:2022-12-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种热电堆传感器性能提升方法、系统及装置,本发明涉及器件性能提升领域,用于解决现有技术中无法同时进行器件性能提升和器件测试的问题及器件性能提升方法复杂的问题。包括:打点器、测试设备、热电堆传感器以及位置移动控制器;位置移动控制器包括第一位置移动控制器以及第二位置移动控制器;第一位置移动控制器设置有打点器及测试设备,在水平方向和竖直方向上移动;第二位置移动控制器上设置有载物台,热电堆传感器放置在载物台上;热电堆传感器在水平方向和竖直方向上移动;打点器将墨点覆盖在热电堆传感器中满足预设条件的器件表面,完成对热电堆传感器的性能提升;测试设备对热电堆传感器进行测试,墨点的直径与厚度可调。
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公开(公告)号:CN111500417B
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202010239836.2
申请日:2020-03-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 针对现有细胞研究技术中中存在的目标细胞筛取通量低、损伤大、回收细胞容易损失和污染等技术缺陷,本发明提供一种高通量细胞分选富集装置及其使用方法,通过该装置1)将细胞富集、回收、捕获和培养封闭一体化,解决了环节间细胞损失和污染的问题;2)在细胞分离模块,结合倾斜细胞滤膜和流体通道,保持细胞活性基础上提高目标细胞通量;3)在单细胞(/细胞团)捕获和培养观察模块,解决细胞跟踪定位检测的难题,有效培养增殖细胞。该装置操作简便,为生物医学和临床诊断研究中稀有细胞样本制备、扩增以及单细胞精准研究的提供设备技术支撑。
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公开(公告)号:CN115449483A
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202211008947.8
申请日:2022-08-22
Applicant: 首都医科大学宣武医院 , 中国科学院微电子研究所 , 首都医科大学附属北京潞河医院
Abstract: 本发明涉及细胞分离技术领域,尤其涉及一种细胞分选装置及免疫细胞分选方法。包含衬底结构、细胞滤膜和上盖;衬底结构上设置有至少一个凹坑,凹坑的开口面积大于坑底的面积,且坑底的投影在开口的投影面积内;凹坑内设置有上盖,上盖将凹坑内的空间全部填充;细胞滤膜设置于衬底结构和上盖之间;凹坑的内壁上设置有第一凸起,上盖的外壁上设置有第二凸起。利用本发明实施例的装置和可实现易于重复的免疫细胞的单细胞样本的制备,具有高效、高通量、高去除率和低刺激性的实际应用能力。
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公开(公告)号:CN114935695A
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202110838275.2
申请日:2021-07-23
Applicant: 首都医科大学宣武医院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种脑缺血模型电学特性的检测方法,采用双频交流信号作为检测信号检测获自脑缺血模型的外周血中性粒细胞的电学特性的动态变化。本发明首次将单细胞电学的方法应用于疾病模型体内中性粒细胞特性的检测。不同于以往的免疫细胞电学检测方法,本方法的特点在于免标记、高通量、可以实时计算得到细胞的电生理特性结果,具有高效率的优势。该系统将来可用于临床缺血性卒中后的中性粒细胞的电学特性,具有广阔的应用前景,可以推动缺血性卒中中性粒细胞分子机制的研究,以及临床上可以应用于缺血性卒中的预后和治疗药物的选择。
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公开(公告)号:CN110897616A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201911239875.6
申请日:2019-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种寸关尺脉位的检测方法,包括以下步骤:采用脉搏波采集装置对人体左、右手腕桡动脉寸关尺部分别施加压力,采集不同压力下的脉搏波和静态压力值;计算左手和/或右手寸关尺脉搏强度最强点的静态压力值;计算左关脉和/或右关脉的血管阻断点的静态压力值;根据脉搏波最强点的静态压力值和血管阻断点的静态压力值计算左手和/或右手寸关尺的脉位。本发明的脉位检测方法的计算结果能够和传统中医中的脉位值相对应;采集方式方便,计算方法有效。
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公开(公告)号:CN109211342A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201811032191.4
申请日:2018-09-05
Applicant: 武汉四方光电科技有限公司 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS硅基温敏芯片,包括基底、阻热支撑层、温漂校准温敏电阻和气流感应温敏电阻,基底包括实体部分和第一通孔,第一通孔位于实体部分的中部,阻热支撑层连接在基底和气流感应温敏电阻之间,阻热支撑层位于基底的上方,位于实体部分的上方的阻热支撑层上开设有凹槽,温漂校准温敏电阻包括第一压焊图形和若干条温漂校准温敏电阻丝,第一压焊图形位于阻热支撑层的凹槽内,温漂校准温敏电阻丝设置在阻热支撑层的内部,并位于基底的实体部分的上方,气流感应温敏电阻包括第二压焊图形和若干条气流感应温敏电阻丝,第二压焊图形连接在阻热支撑层上,并位于实体部分的上方,气流感应温敏电阻丝连接在阻热支撑层上,并位于第一通孔的上方。
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公开(公告)号:CN108836281A
公开(公告)日:2018-11-20
申请号:CN201810691935.7
申请日:2018-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于脉搏特征参数采集的系统。该系统包括:多组传感器阵列,各组传感器阵列用于分别采集人体不同位置处的多路脉搏波信号;信号放大单元,与各组传感器阵列电连接,用于将不同位置处的各路脉搏波信号放大;数据选择单元,与信号放大单元电连接,用于从不同位置处的多路脉搏波信号中分别选择一路脉搏波信号;处理单元,与数据选择单元电连接,用于对经过数据选择单元选择后的脉搏波信号进行时域和频域的特征值提取。本发明利用多组传感器阵列对身体各处脉搏波进行检测,精度高,可获取到更多的脉搏波细节特征,能够同时采集人体腕部“寸”、“关”、“尺”的脉搏波信号,有效并完整地给出用户的脉象信息。
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