公开(公告)号：CN116453570A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310233286.7

申请日：2023-03-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 赵晨阳 ,  刘海南 ,  李多力 ,  王锦任 ,  赵发展 ,  马全刚 ,  李博

IPC: G11C17/16

Abstract: 本发明公开一种efuse存储电路，涉及集成电路技术领域。efuse存储电路包括：每一行包括至少两个存储单元的efuse存储阵列、多个位线控制单元、编程控制单元、读取控制单元和数据读出单元；其中，多个位线控制单元的个数与efuse存储阵列的行数一致，每个位线控制单元与efuse存储阵列中的每一行的所有存储单元连接；编程控制单元和读取控制单元分别与位线控制单元连接；数据读出单元分别与编程控制单元和读取控制单元连接；每一列的存储单元和对应的字线连接，多个位线控制单元均和共享位线连接；多个存储单元和多个位线控制单元共用同一个编程控制单元和读取控制单元，以在编程和读取完成后最终通过数据读出单元存储对应的数据。

公开(公告)号：CN117241580A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311262817.1

申请日：2023-09-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李多力 ,  王锦任 ,  王家佳 ,  赵晨阳 ,  刘海南 ,  李博

IPC: H10B20/25 ,  H01L23/525 ,  G11C5/06

Abstract: 本申请公开了一种一次性可编程存储器及其制备方法，该一次性可编程存储器包括：基底，基底包括第一基底区和第二基底区；位于第一基底区表面上的多晶硅层，在第一方向上，多晶硅层包括依次排布的阴极区、熔丝区和阳极区，阴极区为N型掺杂区，阳极区与熔丝区为P型掺杂区，第一方向为平行于基板的方向；位于多晶硅层背离基底一侧表面的电极层，电极层包括：位于阴极区的阴极，位于阳极区的阳极以及位于熔丝区的熔丝，阳极与阴极基于熔丝连接。在该存储器中，阴极与熔丝连接处形成PN结，使得该存储器在编程状态时，熔丝区的电阻较小；在读取状态时，熔丝区的电阻较大，从而使得存储器的电阻开关比较大，能够更为准确读取存储器的编程状态。