公开(公告)号：CN111554679B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202010276290.8

申请日：2020-04-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王大成 ,  蔡小五 ,  刘海南 ,  罗家俊

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种SOI FinFET器件及其制作方法，其中所述SOI FinFET器件包括：衬底，在衬底上具有掺杂形成成组的源区和漏区；每一组源区和漏区之间的上方为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域中的任一区域；第一区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第一掺杂层、第二掺杂层、TiN层以及填充层；第二区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第一掺杂层、第二掺杂层、TiN层以及填充层；第三区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第二掺杂层、TiN层以及所述填充层；第四区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第二掺杂层以及填充层。本发明的SOI FinFET器件不存在厚的功函数层，P型器件栅极金属填充问题得到了很好的改善。

公开(公告)号：CN111554679A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010276290.8

申请日：2020-04-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王大成 ,  蔡小五 ,  刘海南 ,  罗家俊

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种SOI FinFET器件及其制作方法，其中所述SOI FinFET器件包括：衬底，在衬底上具有掺杂形成成组的源区和漏区；每一组源区和漏区之间的上方为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域中的任一区域；第一区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第一掺杂层、第二掺杂层、TiN层以及填充层；第二区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第一掺杂层、第二掺杂层、TiN层以及填充层；第三区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第二掺杂层、TiN层以及所述填充层；第四区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第二掺杂层以及填充层。本发明的SOI FinFET器件不存在厚的功函数层，P型器件栅极金属填充问题得到了很好的改善。