公开(公告)号：CN114628513B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111301490.5

申请日：2021-11-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王鑫华 ,  刘新宇 ,  黄森 ,  魏珂 ,  蒋其梦 ,  殷海波 ,  樊捷 ,  邓可心 ,  景冠军

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法，属于氮化镓半导体领域，解决现有氮化镓器件制备复杂、成本高问题。氮化镓器件包括：基质层、(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层、源电极、漏电极和栅电极，(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层覆盖在基质层上面，源电极和漏电极分别设置在(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层两端，栅电极设置在源电极和漏电极之间，源电极和栅电极之间的(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有LPCVD‑氮化硅材料层，漏电极和栅电极之间的至少部分(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有非LPCVD工艺生长的钝化层。该氮化镓器件制备简单，能提升氮化镓电子器件在大信号和大功率工作状态下线性度。

公开(公告)号：CN114628513A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111301490.5

申请日：2021-11-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王鑫华 ,  刘新宇 ,  黄森 ,  魏珂 ,  蒋其梦 ,  殷海波 ,  樊捷 ,  邓可心 ,  景冠军

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法，属于氮化镓半导体领域，解决现有氮化镓器件制备复杂、成本高问题。氮化镓器件包括：基质层、(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层、源电极、漏电极和栅电极，(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层覆盖在基质层上面，源电极和漏电极分别设置在(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层两端，栅电极设置在源电极和漏电极之间，源电极和栅电极之间的(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有LPCVD‑氮化硅材料层，漏电极和栅电极之间的至少部分(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有非LPCVD工艺生长的钝化层。该氮化镓器件制备简单，能提升氮化镓电子器件在大信号和大功率工作状态下线性度。

公开(公告)号：CN118571929A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202310177103.4

申请日：2023-02-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王鑫华 ,  刘新宇 ,  黄森 ,  景冠军 ,  殷海波 ,  蒋其梦 ,  魏珂

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/373 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种大功率GaN电子器件及其制备方法，属于GaN电子器件技术领域，解决了现有技术中GaN电子器件高通量散热的问题。所述GaN电子器件包括衬底和设置在衬底上的Al(In,Ga)N/GaN异质结构层，所述Al(In,Ga)N/GaN异质结构层上设置有源电极、漏电极和栅电极，所述源电极与栅电极之间以及漏电极与栅电极之间分别设置有AlN厚膜介质钝化层。本发明采用高导热AlN晶体介质代替传统的SiNx和Al2O3等钝化介质，利用高导热率的厚膜晶体AlN介质做近结钝化层，有效降低结温和热阻，解决大功率器件的近结散热问题。