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发明公开
混合栅极的GaN基功率晶体管结构审中-公开

公开(公告)号：CN120035182A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202311550429.3

申请日：2023-11-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 姬中晨 , 蒋其梦 , 黄森 , 刘新宇 , 王鑫华

IPC: H10D30/83 , H10D64/60

Abstract: 提供了一种混合栅极的GaN基功率晶体管结构，包括：叠层结构，其中，叠层结构包括：衬底；设置于衬底上的GaN缓冲层；以及设置于GaN缓冲层远离衬底一侧的Al(In，Ga)GaN势垒层；源极结构，设置于叠层结构的第一端；和漏极结构，相对源极结构设置于叠层结构的第二端；以及栅极结构，设置于叠层结构上，且位于所述第一端和所述第二端之间，其中，栅极结构包括：设置于叠层结构上的p‑(In，Al)GaN外延层；设置于p‑(In，Al)GaN外延层远离叠层结构一侧的掺杂层；以及设置于掺杂层远离叠层结构一侧的第一栅金属层，其中，所述掺杂层包括至少一个p型掺杂区和多个n型掺杂区，所述至少一个p型掺杂区位于所述多个n型掺杂区之间。

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