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公开(公告)号：CN108385072B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810048854.5
申请日：2018-01-18
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用，其制备包括：将清洗后的基底装入真空磁控溅射设备的真空腔室中，当腔室的真空度为1×10‑4～7×10‑4Pa时，充入氩气，并控制总气压为0.16Pa，调整靶材的溅射功率为10～60W，之后开启样品挡板，采用直流磁控溅射法对基底的表面进行沉积，得到所述透明导电薄膜；所述透明导电薄膜由银和金属氧化物组成。本发明通过直接溅射由银和金属氧化物组成的合金靶材或者共溅射银和金属氧化物靶材，制备得到较低厚度下连续且稳定性较好的透明金属导电薄膜，以达到降低结构复杂度，减少材料用量的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108385072A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810048854.5
申请日：2018-01-18
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用，其制备包括：将清洗后的基底装入真空磁控溅射设备的真空腔室中，当腔室的真空度为1×10-4～7×10-4Pa时，充入氩气，并控制总气压为0.16Pa，调整靶材的溅射功率为10～60W，之后开启样品挡板，采用直流磁控溅射法对基底的表面进行沉积，得到所述透明导电薄膜；所述透明导电薄膜由银和金属氧化物组成。本发明通过直接溅射由银和金属氧化物组成的合金靶材或者共溅射银和金属氧化物靶材，制备得到较低厚度下连续且稳定性较好的透明金属导电薄膜，以达到降低结构复杂度，减少材料用量的目的。
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公开(公告)号：CN107393979B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710432901.1
申请日：2017-06-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L33/42 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于超薄金属膜的透明电极，所述透明电极自下而上依次包括透明基底、金属层和金属氧化物层，所述金属层的厚度为3～12nm。本发明通过单分子自组装层修饰基底，在基底上直接沉积超薄金属层，通过单分子自组装层的作用提高超薄金属膜的连续性和导电性；或通过金属的共沉积，直接在基底上实现超薄金属膜的连续生长。然后在上面沉积一层金属氧化物层作为减反增透层，得到双层膜系结构，通过对双层膜系结构的设计和优化，实现透过率的最大化。本发明还公开了该基于超薄金属膜的透明电极的制备方法及其在光电器件中的应用，该透明电极能同时兼顾良好导电性和高透光率。
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公开(公告)号：CN107393979A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710432901.1
申请日：2017-06-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L33/42 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/022466 , H01L31/022425 , H01L31/1888 , H01L33/42
Abstract: 本发明公开了一种基于超薄金属膜的透明电极，所述透明电极自下而上依次包括透明基底、金属层和金属氧化物层，所述金属层的厚度为3～12nm。本发明通过单分子自组装层修饰基底，在基底上直接沉积超薄金属层，通过单分子自组装层的作用提高超薄金属膜的连续性和导电性；或通过金属的共沉积，直接在基底上实现超薄金属膜的连续生长。然后在上面沉积一层金属氧化物层作为减反增透层，得到双层膜系结构，通过对双层膜系结构的设计和优化，实现透过率的最大化。本发明还公开了该基于超薄金属膜的透明电极的制备方法及其在光电器件中的应用，该透明电极能同时兼顾良好导电性和高透光率。
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公开(公告)号：CN109778129B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910015540.X
申请日：2019-01-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于超薄金属的透明导电薄膜，包括自下而上依次设置的底部介电层、超薄金属层和顶部介电层，超薄金属层为银层，底部介电层和顶部介电层的化学组成均为MxZn1‑xO，其中，底部介电层的平均表面粗糙度为0.1～0.3nm，M为掺杂元素，M为Mg、In、Gd中任意一种，x为M的掺杂量与M和Zn的总量的质量比，x=0.005～0.5。该透明导电薄膜具有三层结构，在保证波长为400～800nm的平均光学透过率不低于80%、薄膜方阻不高于7Ω/sq的前提下，其高温稳定性、湿热稳定性、化学稳定性、空气中稳定性以及抗刮擦稳定性等多方面稳定性较现有常用同结构透明导电薄膜大幅度提升，可满足诸多柔性光电器件的应用需求。
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公开(公告)号：CN109778129A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910015540.X
申请日：2019-01-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于超薄金属的透明导电薄膜，包括自下而上依次设置的底部介电层、超薄金属层和顶部介电层，超薄金属层为银层，底部介电层和顶部介电层的化学组成均为MxZn1-xO，其中，底部介电层的平均表面粗糙度为0.1～0.3nm，M为掺杂元素，M为Mg、In、Gd中任意一种，x为M的掺杂量与M和Zn的总量的质量比，x=0.005～0.5。该透明导电薄膜具有三层结构，在保证波长为400～800nm的平均光学透过率不低于80%、薄膜方阻不高于7Ω/sq的前提下，其高温稳定性、湿热稳定性、化学稳定性、空气中稳定性以及抗刮擦稳定性等多方面稳定性较现有常用同结构透明导电薄膜大幅度提升，可满足诸多柔性光电器件的应用需求。
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