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公开(公告)号：CN103632754B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310590933.6
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法，该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜从下至上依次包括基片、AZO籽晶层和AZO主体层，AZO籽晶层厚度为5～20nm，AZO主体层厚度为100～180nm，该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的电阻率为2.9～9.7×10-4Ω·cm，380～780nm波长范围内的平均透过率为80～90%。本发明中通过合理设置氧气与氩气的体积比为0～1，能够制备超薄的AZO籽晶层（小于20nm），且形成完美（002）择优取向的高质量AZO籽晶层。本发明通过设置与AZO主体层同质的AZO籽晶层，提高薄膜的应力减小；且能够在温度不高于200℃的条件下制备厚度不超过200nm的超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜，无需后续处理环节，节省生产能耗，降低了生产成本，提高了生产效率，适用于工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103632754A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310590933.6
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法，该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜从下至上依次包括基片、AZO籽晶层和AZO主体层，AZO籽晶层厚度为5～20nm，AZO主体层厚度为100～180nm，该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的电阻率为2.9～9.7×10-4Ω·cm，380～780nm波长范围内的平均透过率为80～90%。本发明中通过合理设置氧气与氩气的体积比为0～1，能够制备超薄的AZO籽晶层（小于20nm），且形成完美（002）择优取向的高质量AZO籽晶层。本发明通过设置与AZO主体层同质的AZO籽晶层，提高薄膜的应力减小；且能够在温度不高于200℃的条件下制备厚度不超过200nm的超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜，无需后续处理环节，节省生产能耗，降低了生产成本，提高了生产效率，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN103617831B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310575062.0
申请日：2013-11-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。本发明的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜从下至上依次包括玻璃基片、AZO种子层和AZO主体层，所述的AZO种子层为50～200nm，所述的AZO主体层厚度为800～1300nm，所述铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的迁移率为40-60cm2V-1s-1，电阻率为2×10-4～5×10-4Ωcm，400～1200nm波长范围内的平均透过率大于80%。本发明采用高浓度氧化铝掺杂的AZO做种子层，采用快速热退火方法短时间内进行热处理工艺简单，耗时短，耗能少，成本低，适合工业大批量生产和应用。
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公开(公告)号：CN102747334A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210172083.3
申请日：2012-07-30
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法，将制得的浆料通过成型、冷等静压的方法得到陶瓷胚体，再通过调节烧结过程中的升温程序得到高质量的靶材，然后通过磁控溅射方法得到含钛共掺杂的氧化锌基导电薄膜，所得到的导电薄膜具有高的折射率，在硅基薄膜太阳能电池中应用可以提升与硅薄膜折射率的匹配度，减小光在界面处的反射，进而提高电池效率。该方法制备含钛共掺杂氧化锌基透明导电薄膜所用的原料便宜，操作简单，适于规模生产，具有良好的太阳电池及光电应用前景。
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公开(公告)号：CN102747334B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210172083.3
申请日：2012-07-30
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法，将制得的浆料通过成型、冷等静压的方法得到陶瓷胚体，再通过调节烧结过程中的升温程序得到高质量的靶材，然后通过磁控溅射方法得到含钛共掺杂的氧化锌基导电薄膜，所得到的导电薄膜具有高的折射率，在硅基薄膜太阳能电池中应用可以提升与硅薄膜折射率的匹配度，减小光在界面处的反射，进而提高电池效率。该方法制备含钛共掺杂氧化锌基透明导电薄膜所用的原料便宜，操作简单，适于规模生产，具有良好的太阳电池及光电应用前景。
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公开(公告)号：CN103617831A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310575062.0
申请日：2013-11-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。本发明的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜从下至上依次包括玻璃基片、AZO种子层和AZO主体层，所述的AZO种子层为50～200nm，所述的AZO主体层厚度为800～1300nm，所述铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的迁移率为40-60cm2V-1s-1，电阻率为2×10-4～5×10-4Ωcm，400～1200nm波长范围内的平均透过率大于80%。本发明采用高浓度氧化铝掺杂的AZO做种子层，采用快速热退火方法短时间内进行热处理工艺简单，耗时短，耗能少，成本低，适合工业大批量生产和应用。
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