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公开(公告)号：CN109928751A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910217128.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供一种基于钙钛矿结构的SrMoO3陶瓷靶材的制备方法，在避免Mo4+阳离子被氧化的前提下，以一种方便、低成本的方法合成烧结活性较高、尺寸均匀较小的SrMoO3前驱体颗粒；然后通过单项模压加冷等静压成型；最后，选择一种低能耗、设备成本小的SrMoO3陶瓷烧结方法。制备得到高密度、低电阻率、纯钙钛矿相的高质量SrMoO3陶瓷，可满足诸多SrMoO3薄膜镀膜应用的需求。
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公开(公告)号：CN103951282B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410134672.1
申请日：2014-04-03
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于杂化溶胶的折射率渐变薄膜及其制备方法。本发明的杂化溶胶由空心纳米颗粒溶胶和纳米粘结剂溶胶杂化处理制得，基于杂化溶胶制备折射率渐变薄膜时根据折射率渐变薄膜中各个膜层的折射率选择不同的溶胶制备相应的膜层，其中被选用的溶胶可以为杂化溶胶或空心纳米颗粒溶胶或纳米粘结剂溶胶成膜，杂化溶胶可以有不同的配比，相应的得到制备得到的膜层的折射率也不同，根据需要设定。空心纳米颗粒与纳米粘结剂溶胶杂化，所制薄膜的折射率在1.1～2.0范围内连续可调，薄膜的厚度不受折射率的影响可独立控制；粘结剂与空心纳米颗粒粘结在一起，降低了薄膜表面的粗糙度，提高折射率渐变薄膜的质量；且技术简单，容易实现，使用范围广。
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公开(公告)号：CN102747334B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210172083.3
申请日：2012-07-30
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法，将制得的浆料通过成型、冷等静压的方法得到陶瓷胚体，再通过调节烧结过程中的升温程序得到高质量的靶材，然后通过磁控溅射方法得到含钛共掺杂的氧化锌基导电薄膜，所得到的导电薄膜具有高的折射率，在硅基薄膜太阳能电池中应用可以提升与硅薄膜折射率的匹配度，减小光在界面处的反射，进而提高电池效率。该方法制备含钛共掺杂氧化锌基透明导电薄膜所用的原料便宜，操作简单，适于规模生产，具有良好的太阳电池及光电应用前景。
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公开(公告)号：CN102910835A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210416610.0
申请日：2012-10-25
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种在钙钠玻璃表面形成耐久性双层减反射薄膜的方法，包括以下步骤：1）在反应腔中通入金属氧化物的前驱体和水蒸气发生反应得到反应产物，采用原子层沉积法将反应产物同时沉积在钙钠玻璃基底的两个表面得到高折射率氧化物薄膜；2）以硅源、溶剂及催化剂为原料，配制硅溶胶；3）采用涂覆技术将步骤2）中配制得到的硅溶胶涂覆于步骤1）中得到的钙钠玻璃基底的表面，从而在高折射率氧化物薄膜上再形成SiO2薄膜；4）最后对钙钠玻璃表面的高折射率氧化物薄膜和SiO2薄膜进行固化处理，得到具有耐久性双层减反射薄膜的钙钠玻璃。本发明方法成本低、适合大规模应用，采用该方法在钙钠玻璃表面形成的双层薄膜具有优良的减反射效果和耐久性。
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公开(公告)号：CN112456813B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202011462486.2
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：以共掺杂的MxTyNizO为靶材(其中，M为锂、钠、钾、铷、铯中的至少一种，T为铝、硅、锆中的至少一种)，采用磁控溅射在透明导电基体表面沉积形成薄膜，接着，在空气条件下进行快速热退火处理，获得共掺杂氧化镍电致变色薄膜，该薄膜具有较高的氧化镍(111)择优取向生长以及有均匀分布针孔的光滑紧实的结构，有助于提升薄膜的电致变色响应速度、褪色态透过率、光学调制幅度、电荷容量以及循环稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113354297A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110616832.6
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C03C17/245 , C03C17/22 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种抗菌化合物材料、抗菌玻璃及制备方法与应用。所述抗菌化合物材料的分子式为MxZn1‑xO或MxZn1‑xONy，M包括Sn、Mg、Al、Ga、In、Si等，N包括Cu、Ag、Ti、W等。所述抗菌玻璃包括透明基底以及抗菌涂层，所述抗菌涂层由该抗菌化合物材料形成。所述制备方法包括：对抗菌涂层的物质进行选择，确定各物质比例及涂层厚度，通过物理气相沉积法将抗菌涂层沉积在透明基底表面，得到具有良好的抗菌效果且透明无色的抗菌玻璃。本发明的化合物抗菌材料具有优异的耐候性(抗氧化、耐高温高湿)、良好的抗菌效率、优异的透光性能，在可见光范围内的平均透过率在80％以上，优选为90％以上。
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公开(公告)号：CN112456813A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011462486.2
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：以共掺杂的MxTyNizO为靶材(其中，M为锂、钠、钾、铷、铯中的至少一种，T为铝、硅、锆中的至少一种)，采用磁控溅射在透明导电基体表面沉积形成薄膜，接着，在空气条件下进行快速热退火处理，获得共掺杂氧化镍电致变色薄膜，该薄膜具有较高的氧化镍(111)择优取向生长以及有均匀分布针孔的光滑紧实的结构，有助于提升薄膜的电致变色响应速度、褪色态透过率、光学调制幅度、电荷容量以及循环稳定性。
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公开(公告)号：CN110642526A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910869065.2
申请日：2019-09-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供一种氧化钨电致变色薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）将D50粒径为100～500nm氧化钨纳米粉体倒入含有0.1～3wt%分散剂的去离子水中，经过8～24h的球磨形成浆料；2）采用注浆成型的方式实现氧化钨靶材坯体的成型，将成型的坯体经干燥后置于冷等静压设备中，经120～300MPa的冷等静压，保压时间为60～600s，形成相对密度为60～75%的氧化钨陶瓷坯体；3）将氧化钨陶瓷坯体烧结得到氧化钨磁控溅射靶材；本发明能够在纯氩气氛下利用氧化钨的陶瓷靶材高速磁控溅射沉积具有高效电致变色性能的氧化钨薄膜，满足大面积电致变色器件的使用需求。
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公开(公告)号：CN102891216B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210336819.6
申请日：2012-09-13
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）获得含有大颗粒的溶液A；2）获得含有小颗粒的溶液B；3）将溶液A和溶液B混合，搅拌，获得混合溶液C；4）将混合溶液C涂覆在光伏玻璃基底的一侧，之后将溶液B涂覆在光伏玻璃基底的另一侧，然后将该玻璃基底干燥；5）在光伏玻璃基底的一侧溅射沉积形成ZnO基透明导电薄膜；其中，在步骤1）和步骤2）中，颗粒源指的是硅氧化物或金属氧化物的前驱体，大颗粒与小颗粒的粒径差为250~350nm。本发明的双结构绒面ZnO基透明导电薄膜制备方法，无需经过湿法刻蚀即可在光伏玻璃基底的一侧获得双结构绒面ZnO基透明导电薄膜，同时，在光伏玻璃基底的另一侧得到减反射薄膜，操作简单，适合工业化大规模应用。
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公开(公告)号：CN103866253A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410011278.9
申请日：2014-01-10
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种高载流子浓度的超薄AZO透明导电薄膜及其制备方法，该超薄AZO透明导电薄膜从下至下依次包括基片、锌层和AZO层，锌层和AZO层的总厚度小于120nm，其中锌层的厚度为2～10nm，AZO层的厚度为35～100nm。本发明中采用磁控溅射法在基片上沉积得到锌层和AZO层，并对沉积后的薄膜进行快速特退火，通过设定退火条件，使锌层中的锌原子渗透进入AZO层并形成Zni缺陷，从而提高载流子浓度，且在锌层和AZO层的沉积过程中沉积温度不高于200℃，节省生产能耗，降低了生产成本，提高了生产效率，适用于工业生产。本发明的超薄AZO透明导电薄膜的电阻率为13～3.8×10-4Ω·cm，载流子浓度为5.0～13.8×1020cm-3，380～800nm，平均透过率（含基片）为70～88%。
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