一种SiC陶瓷的防护涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN112125705B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202010947693.0

    申请日:2020-09-10

    Abstract: 本发明涉及高温腐蚀防护涂层领域,公开了一种SiC陶瓷的防护涂层及其制备方法,该防护涂层组成表示为MexO1‑x,其中x为原子百分比,0.6≤x≤1;Me选自Cr、CrAl、CrNi中任一种,所述CrAl为Cr为主元,与Al的固溶体结构,所述CrNi为Cr为主元,与Ni的固溶体结构,所述防护涂层采用磁控溅射法制备,利用射频辅助直流的电源来驱动Me靶,通过调节反应气体O2的有无及O2比例和其他工艺参数,在SiC陶瓷表面沉积得到不同结构的防护涂层。该防护涂层,可显著降低SiC陶瓷的腐蚀失重,失重率减少88%~97%。

    一种具有长时间耐高温水蒸汽氧化的防护涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN112853287B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202011618645.3

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明涉及核电防护涂层领域,公开了一种具有长时间耐高温水蒸汽氧化的防护涂层及其制备方法,该防护涂层包括陶瓷层和合金层,所述的合金层组成表示为CraMe100‑a,Me为Al、Ni中的一种,84.6≤a≤100;陶瓷层组成表示为(CrxAlySi100‑x‑y)zT100‑z,T选自C、N中的一种,其中40.7≤x≤61.2,29.8≤y≤45.3,78.5≤z≤89.5;其中a、x、y、z都为原子比。该防护涂层通过物理气相磁控溅射法制备,在高温水蒸气(1200℃)氧化过程中可形成连续、致密且无开裂、拱起等缺陷的Cr2O3防护层,进而显著提高耐高温水蒸气氧化时间(8~12h),可用于核电中锆合金包壳管的防护。

    一种具有长时间耐高温水蒸汽氧化的防护涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN112853287A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202011618645.3

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明涉及核电防护涂层领域,公开了一种具有长时间耐高温水蒸汽氧化的防护涂层及其制备方法,该防护涂层包括陶瓷层和合金层,所述的合金层组成表示为CraMe100‑a,Me为Al、Ni中的一种,84.6≤a≤100;陶瓷层组成表示为(CrxAlySi100‑x‑y)zT100‑z,T选自C、N中的一种,其中40.7≤x≤61.2,29.8≤y≤45.3,78.5≤z≤89.5;其中a、x、y、z都为原子比。该防护涂层通过物理气相磁控溅射法制备,在高温水蒸气(1200℃)氧化过程中可形成连续、致密且无开裂、拱起等缺陷的Cr2O3防护层,进而显著提高耐高温水蒸气氧化时间(8~12h),可用于核电中锆合金包壳管的防护。

    一种SiC陶瓷的防护涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN112125705A

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN202010947693.0

    申请日:2020-09-10

    Abstract: 本发明涉及高温腐蚀防护涂层领域,公开了一种SiC陶瓷的防护涂层及其制备方法,该防护涂层组成表示为MexO1‑x,其中x为原子百分比,0.6≤x≤1;Me选自Cr、CrAl、CrNi中任一种,所述CrAl为Cr为主元,与Al的固溶体结构,所述CrNi为Cr为主元,与Ni的固溶体结构,所述防护涂层采用磁控溅射法制备,利用射频辅助直流的电源来驱动Me靶,通过调节反应气体O2的有无及O2比例和其他工艺参数,在SiC陶瓷表面沉积得到不同结构的防护涂层。该防护涂层,可显著降低SiC陶瓷的腐蚀失重,失重率减少88%~97%。

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