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公开(公告)号：CN108486537B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810193804.6
申请日：2018-03-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于锆合金的非晶防护涂层，涂层成分为CrxAlySizN100‑x‑y‑z，x＝42.0～51.9，y＝20.3～25.5，z＝5.2～9.6，x,y,z为对应原子的原子百分比。所述非晶防护涂层的密度在4.3～4.8g/cm3，无贯穿性空隙，涂层厚度为2～6μm。本发明还公开了所述用于锆合金的非晶防护涂层的制备方法，通过调节N2/Ar比例，调整靶材的溅射功率密度和辅助等离子体的功率密度，对锆合金基体表面进行沉积，得到防护涂层。本发明涂层作为防护涂层，在800℃～1200℃可以有效的预防锆合金与水蒸气发生反应，防止氢爆。
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公开(公告)号：CN106567049A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610882869.2
申请日：2016-10-10
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0688
Abstract: 本发明公开了一种MAX相陶瓷涂层，此涂层组成为V2AlxC2‑x，x＝0.7～1.5，涂层为柱状晶生长结构，每一个柱状晶由一层Al原子层和两层V原子层交替排列形成，且C原子层位于两层V原子层之间，涂层密度为4.5～5.2g/cm3。本发明还公开了所述MAX相陶瓷涂层的制备方法，采用双靶磁控溅射法并辅助射频叠加中频的电源施加方式，在制备温度为550～650℃的情况下，在非晶基体上非外延生长出所述MAX相陶瓷涂层。该制备条件下获得的V2AlxC2‑x涂层纯度达到了99.9％，涂层硬度在13～16GPa。此方法一步合成，成本较低，可控制性强，有利于MAX相涂层低温制备和多领域应用。
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公开(公告)号：CN103160776B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110418928.8
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种二硼化钛-镍涂层或者薄膜的制备方法，通过该方法原位合成了金属Ni增韧的TiB2涂层或者薄膜，涂层硬度高达25GPa以上，导电性能良好，同时具有良好的韧性和抗腐蚀、抗烧蚀性能及优异的摩擦、磨损性能，可以广泛应用于刀具、模具、电接触、防护等领域；并且制备工艺简单，生产周期短，成本低，便于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN114395753B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210009150.3
申请日：2022-01-06
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种多层结构的Fe‑Cr‑Al基防护涂层，包括由Fe‑Cr‑Al‑Me‑Si‑Y层和氮化物Cr‑Al‑Me‑Si‑N层组合而成的多层结构，Me为Mo、Ta、Ni、Nb中的一种或两种，Fe‑Cr‑Al‑Me‑Si‑Y层为致密的非晶结构或致密非晶中弥散分布纳米晶的两相结构，Cr‑Al‑Me‑Si‑N层为致密的非晶结构，该涂层更加显著延长了其耐高温水蒸气氧化的时间。本发明还公开了一种多层结构的Fe‑Cr‑Al基防护涂层的制备方法。该制备方法简单、高效。
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公开(公告)号：CN114107917B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202111332943.0
申请日：2021-11-11
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开一种CZO透明导电薄膜，成分组成为：Cu(1at.％～2at.％)，Zn(48at.％～50at.％)，O(50at.％～52at.％)，呈纤维状生长结构，包括多条被阻断的柱状晶，相邻柱状晶之间无微裂纹或微孔洞，密度为5.3～5.5g/cm3。该导电薄膜具有较低的电阻率，较好的透光率。本发明还提供了一种CZO透明导电薄膜的制备方法，包括：向镀膜腔室抽真空，持续通入惰性气体，设置靶电源参数，采用纯CZO陶瓷靶在基体上进行单靶溅射、以ZnO陶瓷靶和金属Cu靶在基体上进行双靶共溅射或以ZnCu合金靶在基体上进行反应溅射以形成CZO透明导电薄膜。该方法制备简单、高效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109234694B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201811268906.6
申请日：2018-10-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种抗高温水蒸气腐蚀的纳米梯度复合多层涂层，由纳米梯度结构的CrxAlySi1‑x‑y层、CraAlbSicN1‑a‑b‑c层以及CreN1‑e层依次沉积在基体上形成，0.45≤x≤0.6，0.15≤y≤0.3，0.3＜a≤0.4，0.2≤b≤0.25，0.06≤c≤0.13，0.85＜e≤1，x、y、a、b、c、e均为平均原子比。本发明还公开了所述涂层的制备方法，分成三个时间段进行沉积，分别控制各时间段的溅射时间、所用靶材及其溅射功率以及通入N2的流量制得，得到的涂层硬度高达18～23GPa，在300～800℃冷热交替水蒸气腐蚀下5～7次，涂层不开裂，特别适合应用于发电领域。
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公开(公告)号：CN103160777A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110418976.7
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有包覆结构的二硼化钛-镍薄膜，其特征在于该TiB2-Ni薄膜是以金属Ni为连续相，TiB2晶粒为弥散相原位复合而成，在该TiB2-Ni薄膜中，金属Ni以三维连续胞状结构均匀构成薄膜的基本构架，而TiB2晶粒则以颗粒状均匀的填补在胞状结构内部，形成金属Ni均匀包裹TiB2晶粒的包覆显微结构，其中TiB2含量为60-95at.％，Ni含量为5-40at.％。本发明的包覆结构的TiB2-Ni薄膜表现出了良好的韧性和很高的硬度，这极大扩大了此薄膜的应用范围；同时采用双靶共溅射磁控溅射技术操作方便，通过工艺条件的调控可以很好的控制TiB2-Ni薄膜材料的组成、结构和性能，并且该方法无需后处理工序，制备周期短，成本低，可复现性好，便于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN103160776A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110418928.8
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种二硼化钛-镍涂层或者薄膜及其制备方法，其特征在于该涂层或者薄膜是以TiB2为主晶相，金属Ni为次晶相利用物理气相沉积技术原位复合而成的，其中TiB2含量为65-95at.％，Ni含量为5-35at.％；所述涂层或者薄膜的基板采用单晶硅、玻璃、高速钢、合金钢或者钛合金等，薄膜的厚度为20nm-1um；涂层的厚度为1um-1mm。本发明设计了一种新涂层材料体系，即原位合成的金属Ni增韧的TiB2涂层或者薄膜，涂层硬度高达25GPa以上，导电性能良好，同时具有良好的韧性和抗腐蚀、抗烧蚀性能及优异的摩擦、磨损性能，可以广泛应用于刀具、模具、电接触、防护等领域；并且制备工艺简单，生产周期短，成本低，便于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN116003152B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310241115.9
申请日：2023-03-13
Applicant: 昆明理工大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明公开了一种抗高温水蒸气氧化的碳化硅陶瓷连接件及其制法与应用。所述碳化硅陶瓷连接件包括至少两个碳化硅陶瓷基体、(Yb，Y)3Si2C2中间层以及Cr‑Y涂层，所述碳化硅陶瓷连接件是由至少两个碳化硅陶瓷基体通过(Yb，Y)3Si2C2中间层连接形成的，所述Cr‑Y涂层设置于碳化硅陶瓷连接件的表面。本发明提供的碳化硅陶瓷连接件具有耐腐蚀性、抗高温水蒸气氧化性能、耐磨等优点，同时可在磁学、光学、航空航天、核能、电子器件、电子通讯等领域应用。
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公开(公告)号：CN116003152A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310241115.9
申请日：2023-03-13
Applicant: 昆明理工大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明公开了一种抗高温水蒸气氧化的碳化硅陶瓷连接件及其制法与应用。所述碳化硅陶瓷连接件包括至少两个碳化硅陶瓷基体、(Yb，Y)3Si2C2中间层以及Cr‑Y涂层，所述碳化硅陶瓷连接件是由至少两个碳化硅陶瓷基体通过(Yb，Y)3Si2C2中间层连接形成的，所述Cr‑Y涂层设置于碳化硅陶瓷连接件的表面。本发明提供的碳化硅陶瓷连接件具有耐腐蚀性、抗高温水蒸气氧化性能、耐磨等优点，同时可在磁学、光学、航空航天、核能、电子器件、电子通讯等领域应用。
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