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公开(公告)号：CN110676148A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910966463.6
申请日：2019-10-12
Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所
IPC: H01J37/21 , H01J37/08 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种可控束斑离子发射装置及抛光蚀刻方法，该可控束斑离子发射装置包括均为圆桶且同轴设置的气体电离装置、离子加速电极、束斑调节装置以及离子发射装置固定容器，其中束斑调节装置上设置有至少两个聚焦电极，气体电离装置、离子加速电极、聚焦电极皆独立与不同的高压直流电源相连，离子束从气体电离装置引出，经离子加速电极加速后，通过给束斑调节装置聚焦电极设置不同电压，能够调节束斑直径，改变离子束的聚散状态，使得离子抛光装置能够对样品抛光蚀刻的区域灵活调整，使得离子束聚焦于需要曝光蚀刻的区域，而无需对样品的其他区域进行抛光蚀刻，从而提高抛光蚀刻的效率；同时，避免破坏样品上无需抛光蚀刻的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110355455B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910711694.2
申请日：2019-08-02
Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所
IPC: H01J37/20
Abstract: 本发明提供一种氩离子切割装置，涉及样品表面处理技术。氩离子切割装置，包括氩离子源、样品台、离子束挡板、底座和驱动装置；离子束挡板位于氩离子源与样品台之间，且离子束挡板遮蔽部分氩离子源射向样品的氩离子束；样品台和离子束挡板固定在底座上；驱动装置与底座连接以带动底座移动、转动。本发明的氩离子切割装置通过移动、转动底座确保增大样品切割面的宽度的同时，防止产生离子划痕。
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公开(公告)号：CN110605467A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910894177.3
申请日：2019-09-20
Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所
IPC: B23K10/00
Abstract: 本发明提供一种离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置。该离子切割校准装置包括第一校准组件和第二校准组件，第一校准组件具有第一校准面，第二校准组件具有第二校准面；待校准样品和样品托板设置在第一校准面上，以调整待校准样品在样品托板上的位置，并形成初校准样品；初校准样品设置在第二校准面上，第二校准面与离子切割装置的挡板相对设置，以调整初校准样品与离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。该离子切割装置包括离子发生器、挡板以及上述的离子切割校准装置。本发明提高了校准装样的准确性，减少了校准样品表面的离子划痕，缩短了离子切割的时间，从而提高了离子切割的效率。
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公开(公告)号：CN110605467B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910894177.3
申请日：2019-09-20
Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所
Abstract: 本发明提供一种离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置。该离子切割校准装置包括第一校准组件和第二校准组件，第一校准组件具有第一校准面，第二校准组件具有第二校准面；待校准样品和样品托板设置在第一校准面上，以调整待校准样品在样品托板上的位置，并形成初校准样品；初校准样品设置在第二校准面上，第二校准面与离子切割装置的挡板相对设置，以调整初校准样品与离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。该离子切割装置包括离子发生器、挡板以及上述的离子切割校准装置。本发明提高了校准装样的准确性，减少了校准样品表面的离子划痕，缩短了离子切割的时间，从而提高了离子切割的效率。
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公开(公告)号：CN110355455A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910711694.2
申请日：2019-08-02
Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所
IPC: B23K10/00
Abstract: 本发明提供一种氩离子切割装置，涉及样品表面处理技术。氩离子切割装置，包括氩离子源、样品台、离子束挡板、底座和驱动装置；离子束挡板位于氩离子源与样品台之间，且离子束挡板遮蔽部分氩离子源射向样品的氩离子束；样品台和离子束挡板固定在底座上；驱动装置与底座连接以带动底座移动、转动。本发明的氩离子切割装置通过移动、转动底座确保增大样品切割面的宽度的同时，防止产生离子划痕。
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公开(公告)号：CN110676148B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910966463.6
申请日：2019-10-12
Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所
IPC: H01J37/21 , H01J37/08 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种可控束斑离子发射装置及抛光蚀刻方法，该可控束斑离子发射装置包括均为圆桶且同轴设置的气体电离装置、离子加速电极、束斑调节装置以及离子发射装置固定容器，其中束斑调节装置上设置有至少两个聚焦电极，气体电离装置、离子加速电极、聚焦电极皆独立与不同的高压直流电源相连，离子束从气体电离装置引出，经离子加速电极加速后，通过给束斑调节装置聚焦电极设置不同电压，能够调节束斑直径，改变离子束的聚散状态，使得离子抛光装置能够对样品抛光蚀刻的区域灵活调整，使得离子束聚焦于需要曝光蚀刻的区域，而无需对样品的其他区域进行抛光蚀刻，从而提高抛光蚀刻的效率；同时，避免破坏样品上无需抛光蚀刻的区域。
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