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公开(公告)号：CN103647211A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310723798.8
申请日：2013-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/11
Abstract: 一种基于光电振荡器的光脉冲产生装置，包括：一激光器；一调制器，其输入端与激光器的输出端连接；一半导体光放大器，其输入端与调制器的输出端连接；一耦合器，其输入端与半导体光放大器的输出端连接，其第一输出端与连接有一光采样示波器或自相关仪连接；一光电探测器，其输入端与耦合器的第二输出端连接；一电滤波器，其输入端与光电探测器的输出端连接；一电放大器，其输入端与电滤波器的输出端连接，该电放大器的输出端与调制器的射频调制端口连接。本发明可以改变产生的光脉冲的宽度；通过调谐滤波器的中心频率可以改变光脉冲重复频率。
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公开(公告)号：CN102709811A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210208573.4
申请日：2012-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器，包括在光路上依次设置的半导体激光器(a)、准直透镜(b)、偏振棱镜(c)、第一1/4波片(d)、F-P标准具(e)、第二1/4波片(f)、前腔面反射镜(g)、隔离器(h)、聚焦透镜(i)和光纤(j)。本发明提供的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器，能够有效压窄光源线宽，且通过互注入实现该外腔半导体激光器的频率自锁定。
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公开(公告)号：CN103560398B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201310529391.1
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体光放大器的有源光学时间积分器，包括一个具有高的净模增益系数的半导体光放大器和半导体光放大器两端面所镀的高反射率薄膜，所述半导体光放大器工作在法布里-珀罗模式下。本发明能够对任意输入光信号进行积分，且具有其积分时间窗口能够通过调节注入电流实现调谐、积分带宽可以通过增大半导体光放大器的净模增益系数来提高等优点。
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公开(公告)号：CN102709811B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210208573.4
申请日：2012-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器，包括在光路上依次设置的半导体激光器(a)、准直透镜(b)、偏振棱镜(c)、第一1/4波片(d)、F-P标准具(e)、第二1/4波片(f)、前腔面反射镜(g)、隔离器(h)、聚焦透镜(i)和光纤(j)。本发明提供的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器，能够有效压窄光源线宽，且通过互注入实现该外腔半导体激光器的频率自锁定。
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公开(公告)号：CN103346475A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310211088.7
申请日：2013-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器，包括：基底；缓冲层，形成于该基底之上；下限制层，形成于该缓冲层之上；多量子阱有源层，形成于该下限制层的左端之上；波导层，形成于该下限制层的右端之上；相移光栅层，形成于该多量子阱有源层之上；均匀布拉格光栅层，形成于该波导层之上；上限制层，形成于该有源叠层、该对接区及该无源叠层之上；刻蚀阻止层，形成于该上限制层之上；欧姆接触层，形成于该刻蚀阻止层的左端之上；P电极层，形成于该欧姆接触层之上；以及N电极层，形成于该基底的背面。利用本发明，避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险，实现频率的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105158933A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510520857.0
申请日：2015-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/011 , G02F2001/0113
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基材料的在两个垂直偏振态上可同时实现DP-16QAM调制格式的集成光学调制器，它包括硅基波导分束器与合束器、4个Mach-Zehnder强度调制器、2个90度移相器、光偏振合束器和高速电路。本发明利用硅基光子学技术实现光功率分束与合束、光幅度多阶调制和相位调制、光偏振旋转与合束和光移相器等先进光调制单元，采用CMOS(互补金属氧化物半导体器件及相应工艺)工艺平台将上述功能单元集成到原型芯片中，并通过高速封装技术与电磁兼容设计集合光学与电学功能单元，最终实现满足400Gb/s下一代光通信系统要求的双偏振16QAM(DP-16QAM)(双偏振16进制正交振幅调制)光调制器模块。
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公开(公告)号：CN103078250A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310019361.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器，包括：一缓冲层；一下波导层，该下波导层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下包层上；一光栅层，该光栅层制作在多量子阱有源层上；一上波导层，该上波导层制作在光栅层上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；一P电极，该P电极制作在接触层上；一N电极，该N电极制作在缓冲层的背面。本发明可以克服外部反射光对激光器内部的影响，压窄激光线宽，增加激光器的频率稳定性和增大输出功率的效果。
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公开(公告)号：CN103759841A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410031221.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种激光器频率稳定度测试装置，包括：一第一驱动电路和第二驱动电路，该第一驱动电路和第二驱动电路包括有温度控制装置；一第一激光器和第二激光器，所述第一驱动电路和第二驱动电路分别给第一激光器和第二激光器提供的驱动控制；一光纤耦合器，光纤耦合器的一输入端a与第一激光器的尾纤连接，另一输入端b与第二激光器的尾纤连接；一光电探测器，该光电探测器的尾纤与光纤耦合器的一输出端c连接；一放大器，该放大器接收所述光电探测器输出的光强电压信号；一频谱分析仪，该频谱分析仪与该放大器相连接；一电脑，该电脑通过GPIB卡接收所述频谱分析仪的数据，进行拍频信号的数据采集；一光谱分析仪，该光谱分析仪与所述该光纤耦合器的另一输出端d连接。
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公开(公告)号：CN103560398A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310529391.1
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体光放大器的有源光学时间积分器，包括一个具有高的净模增益系数的半导体光放大器和半导体光放大器两端面所镀的高反射率薄膜，所述半导体光放大器工作在法布里-珀罗模式下。本发明能够对任意输入光信号进行积分，且具有其积分时间窗口能够通过调节注入电流实现调谐、积分带宽可以通过增大半导体光放大器的净模增益系数来提高等优点。
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公开(公告)号：CN103346475B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310211088.7
申请日：2013-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器，包括：基底；缓冲层，形成于该基底之上；下限制层，形成于该缓冲层之上；多量子阱有源层，形成于该下限制层的左端之上；波导层，形成于该下限制层的右端之上；相移光栅层，形成于该多量子阱有源层之上；均匀布拉格光栅层，形成于该波导层之上；上限制层，形成于该有源叠层、该对接区及该无源叠层之上；刻蚀阻止层，形成于该上限制层之上；欧姆接触层，形成于该刻蚀阻止层的左端之上；P电极层，形成于该欧姆接触层之上；以及N电极层，形成于该基底的背面。利用本发明，避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险，实现频率的稳定性。
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