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公开(公告)号：CN109524490B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201811065138.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/112 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法，该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括：硅衬底、二氧化硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线；二氧化硅绝缘层生长于硅衬底上；ZnO/GaN异质结纳米线设置于二氧化硅绝缘层上，沿其长度方向分为：ZnO纳米线和GaN纳米线，ZnO纳米线远离异质结界面的一端设置有源电极，异质结界面处设置有漏电极；GaN纳米线靠近异质结界面的一端与漏电极连接，另一端设置有栅电极。本公开提供的ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法利用ZnO纳米线优良的光敏效应，采用GaN纳米线发出的紫外光激发ZnO纳米线，调节ZnO纳米线光电导，实现栅极对源漏电流大小的有效控制，达到制作异质结纳米线光开关的目的。
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公开(公告)号：CN107910243A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710969740.X
申请日：2017-10-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02603
Abstract: 本发明提供一种在衬底上制备GaN纳米线的方法，包括以下步骤：步骤1：清洗衬底；步骤2：在衬底上镀一层Ni和Au金属；步骤3：将镀有Ni和Au金属的衬底放入HVPE外延设备的反应室中，将反应室升温；步骤4：向反应室中通入反应气体，在衬底上生长GaN纳米线；步骤5：关闭通入的反应气体，将衬底降温，完成制备。本发明处理工艺简单，大大的降低了生长成本；生长的温度为高温，大大提高晶体质量；纳米线方向具有一定的可控性，有利于后续器件制备。
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公开(公告)号：CN109524490A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811065138.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/112 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法，该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括：硅衬底、二氧化硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线；二氧化硅绝缘层生长于硅衬底上；ZnO/GaN异质结纳米线设置于二氧化硅绝缘层上，沿其长度方向分为：ZnO纳米线和GaN纳米线，ZnO纳米线远离异质结界面的一端设置有源电极，异质结界面处设置有漏电极；GaN纳米线靠近异质结界面的一端与漏电极连接，另一端设置有栅电极。本公开提供的ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法利用ZnO纳米线优良的光敏效应，采用GaN纳米线发出的紫外光激发ZnO纳米线，调节ZnO纳米线光电导，实现栅极对源漏电流大小的有效控制，达到制作异质结纳米线光开关的目的。
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公开(公告)号：CN107881554A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710969739.7
申请日：2017-10-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种在衬底上生长GaN平面纳米线的方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：在清洗的衬底上蒸镀一层金属薄膜；步骤3：把蒸镀有金属薄膜的衬底倒立放在反应炉的托盘上，在衬底与托盘之间形成狭缝；步骤4：提升反应炉温度，通入反应气源，在衬底上生长平面的GaN纳米线；步骤5：关闭气源，将温度降至室温，完成GaN平面纳米线的制备。本发明不需要在衬底上制造图形，处理工艺简单，大大的降低了生长成本；本纳米线是水平外延生长在衬底上，与现代电子技术中传统的平面法兼容(晶体管的制备过程)，有利于后续器件制备；晶体质量优良，有利于提升器件性能。
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