公开(公告)号：CN102136534A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110041984.4

申请日：2011-02-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 梁德春 ,  李新坤 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明涉及六种采用量子点材料为有源区的砷化镓基短波长超辐射发光二极管。这六种砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管包括砷化镓铝铟/砷化镓铝(InAlGaAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铝铟/砷化镓铝(InAlAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、啁啾结构砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管和啁啾结构砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管。以上六种超辐射发光二极管具有波长短、功率大、光谱宽等特点。

公开(公告)号：CN102427108A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201110361688.2

申请日：2011-11-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李新坤 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01S5/022

Abstract: 一种用于多电流注入区器件的倒装焊结构，该倒装焊结构包括：一金属热沉；一导热绝缘层，该导热绝缘层制作在金属热沉上；一金属图形层，该金属图形层制作在导热绝缘层的表面，该金属图形层具有两个或两个以上分区；一半导体器件芯片，该半导体器件芯片焊接在金属图形层上，该半导体器件芯片具有两个或两个以上电流注入区。