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公开(公告)号：CN1681176A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410032559.9
申请日：2004-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构，其中包括：一衬底；一铝镓砷层，该铝镓砷层制作在衬底上；一铝镓铟砷有源层，该铝镓铟砷铝镓铟砷有源层制作在铝镓砷上；一铝铟砷层，该铝铟砷铝铟砷层制作在铝镓铟砷有源层上；一铟磷层，该铟磷层制作在铝铟砷层上，该铟磷层的面积小于铝铟砷层的面积；一铟镓砷层，该铟镓砷层制作在铟磷层上；该铟磷层和铟镓砷层形成一脊型区域；一层介质膜，该层介质膜制作在脊型区域的两侧及铝铟砷层上；一层P面电极，该P面电极制作在脊型区域的上面及介质膜上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。
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