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公开(公告)号：CN110032040A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810032040.2
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院化学研究所
Abstract: 本发明涉及一系列以四苯基呋喃、四苯基吡咯、四苯基噻吩、五苯基吡啶、四苯基双酚A、杯芳烃型双酚A为核的分子玻璃化合物为主体材料，辅以光致产酸剂、溶剂等组合而成的化学放大型光刻胶组合物。将该光刻胶组合物旋涂于基片上可制得厚度均匀的光刻胶薄膜，应用于200-450nm的紫外光源曝光，尤其适用于365nm I线光刻、248nm深紫外光刻、436nm G线光刻等远场及近场光刻技术，诸如紫外曝光机、365nm激光直写近场光刻、365nm激光干涉光刻等紫外光刻技术。
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公开(公告)号：CN103304521B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210070713.6
申请日：2012-03-16
Applicant: 中国科学院化学研究所
IPC: C07D307/42 , C07D207/333 , C07D333/16 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供了通式(I)或(II)的以四苯基呋喃、四苯基吡咯、四苯基噻吩和五苯基吡啶为核的分子玻璃，以及以上述分子玻璃作为基体成分的光刻胶组合物，其包括：选自通式(I)或(II)中的一种或多种的基体成分、光致产酸剂、有机碱和有机溶剂。本发明的光刻胶组合物为化学放大的正性光刻胶，适合在极紫外线(13.5nm)、电子束下曝光，在碱性显影液中显影。由本发明的光刻胶组合物制备的薄膜具有良好的分辨率、光敏性、粘附性，且易于保存。
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公开(公告)号：CN103304385B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210156675.6
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国科学院化学研究所
IPC: C07C43/205 , C07C41/30 , C07C39/15 , C07C37/055 , C07C69/96 , C07C68/06 , C07C43/21 , C07C39/17 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C37/16 , C07C39/15 , C07C39/16 , C07C39/17 , C07C41/01 , C07C43/205 , C07C43/2055 , C07C43/21 , C07C68/06 , C07C69/96 , C07C2603/92 , G03F7/0002 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及一系列基于双酚A为主体结构的分子玻璃光刻胶（I和II）及其制备。将该分子玻璃光刻胶与光酸产生剂、交联剂、光刻胶溶剂和其他添加剂复配成正性或负性光刻胶，在硅片上通过旋涂法可制得厚度均匀的光刻胶涂层。该光刻胶配方可用于248nm光刻、193nm光刻、极紫外光刻、纳米压印光刻及电子束光刻等现代光刻技术中，尤其适合使用于极紫外（EUV）光刻工艺中。
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公开(公告)号：CN103304521A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210070713.6
申请日：2012-03-16
Applicant: 中国科学院化学研究所
IPC: C07D307/42 , C07D207/333 , C07D333/16 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供了通式(I)或(II)的以四苯基呋喃、四苯基吡咯、四苯基噻吩和五苯基吡啶为核的分子玻璃，以及以上述分子玻璃作为基体成分的光刻胶组合物，其包括：选自通式(I)或(II)中的一种或多种的基体成分、光致产酸剂、有机碱和有机溶剂。本发明的光刻胶组合物为化学放大的正性光刻胶，适合在极紫外线(13.5nm)、电子束下曝光，在碱性显影液中显影。由本发明的光刻胶组合物制备的薄膜具有良好的分辨率、光敏性、粘附性，且易于保存。
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公开(公告)号：CN108147983A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201611105094.4
申请日：2016-12-05
Applicant: 中国科学院化学研究所
IPC: C07C309/04 , C07C303/32 , C07D333/18 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一类硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶及其制备方法和应用。所述硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶是立体不对称的无定形小分子化合物，具有较高的熔点和玻璃化转变温度(熔点均高于100℃)，能够满足光刻技术要求，在高温烘烤中薄膜结构无变化。该类化合物可以单独或与其他光刻胶、光致产酸剂、交联剂等复配成正性或负性光刻胶，在基片上通过旋涂法可制得厚度均匀的光刻胶涂层。该光刻胶配方可用于365nm光刻、248nm光刻、193nm光刻、极紫外光刻及电子束光刻等现代光刻技术中，尤其适用于极紫外光刻工艺中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110032040B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810032040.2
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院化学研究所
Abstract: 本发明涉及一系列以四苯基呋喃、四苯基吡咯、四苯基噻吩、五苯基吡啶、四苯基双酚A、杯芳烃型双酚A为核的分子玻璃化合物为主体材料，辅以光致产酸剂、溶剂等组合而成的化学放大型光刻胶组合物。将该光刻胶组合物旋涂于基片上可制得厚度均匀的光刻胶薄膜，应用于200‑450nm的紫外光源曝光，尤其适用于365nm I线光刻、248nm深紫外光刻、436nm G线光刻等远场及近场光刻技术，诸如紫外曝光机、365nm激光直写近场光刻、365nm激光干涉光刻等紫外光刻技术。
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公开(公告)号：CN104914672B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201510319140.X
申请日：2015-06-11
Applicant: 中国科学院化学研究所
Abstract: 本发明涉及一种底部抗反射涂料组合物，包括：含两个或两个以上羟基结构的分子玻璃化合物、含两个或两个以上乙烯基醚封端的乙烯基醚类化合物、以及任选的产酸剂。该组合物可用于G线、365nm、248nm、193nm等光刻工艺中。可有效减小光反射作用，从而提高光刻图形的分辨率，降低线边缘粗糙度，并且不需要增加额外的刻蚀工艺将其除去。另外，本发明还涉及一种使用上述抗反射涂料组合物来形成正像的方法。
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公开(公告)号：CN108147983B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201611105094.4
申请日：2016-12-05
Applicant: 中国科学院化学研究所
IPC: C07C309/04 , C07C303/32 , C07D333/18 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一类硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶及其制备方法和应用。所述硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶是立体不对称的无定形小分子化合物，具有较高的熔点和玻璃化转变温度(熔点均高于100℃)，能够满足光刻技术要求，在高温烘烤中薄膜结构无变化。该类化合物可以单独或与其他光刻胶、光致产酸剂、交联剂等复配成正性或负性光刻胶，在基片上通过旋涂法可制得厚度均匀的光刻胶涂层。该光刻胶配方可用于365nm光刻、248nm光刻、193nm光刻、极紫外光刻及电子束光刻等现代光刻技术中，尤其适用于极紫外光刻工艺中。
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公开(公告)号：CN103304385A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210156675.6
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国科学院化学研究所
IPC: C07C43/205 , C07C41/30 , C07C39/15 , C07C37/055 , C07C69/96 , C07C68/06 , C07C43/21 , C07C39/17 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C37/16 , C07C39/15 , C07C39/16 , C07C39/17 , C07C41/01 , C07C43/205 , C07C43/2055 , C07C43/21 , C07C68/06 , C07C69/96 , C07C2603/92 , G03F7/0002 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及一系列基于双酚A为主体结构的分子玻璃光刻胶（I和II）及其制备。将该分子玻璃光刻胶与光酸产生剂、交联剂、光刻胶溶剂和其他添加剂复配成正性或负性光刻胶，在硅片上通过旋涂法可制得厚度均匀的光刻胶涂层。该光刻胶配方可用于248nm光刻、193nm光刻、极紫外光刻、纳米压印光刻及电子束光刻等现代光刻技术中，尤其适合使用于极紫外（EUV）光刻工艺中。
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公开(公告)号：CN104914672A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510319140.X
申请日：2015-06-11
Applicant: 中国科学院化学研究所
Abstract: 本发明涉及一种底部抗反射涂料组合物，包括：含两个或两个以上羟基结构的分子玻璃化合物、含两个或两个以上乙烯基醚封端的乙烯基醚类化合物、以及任选的产酸剂。该组合物可用于G线、365nm、248nm、193nm等光刻工艺中。可有效减小光反射作用，从而提高光刻图形的分辨率，降低线边缘粗糙度，并且不需要增加额外的刻蚀工艺将其除去。另外，本发明还涉及一种使用上述抗反射涂料组合物来形成正像的方法。
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