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公开(公告)号：CN110032040B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810032040.2
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院化学研究所
Abstract: 本发明涉及一系列以四苯基呋喃、四苯基吡咯、四苯基噻吩、五苯基吡啶、四苯基双酚A、杯芳烃型双酚A为核的分子玻璃化合物为主体材料，辅以光致产酸剂、溶剂等组合而成的化学放大型光刻胶组合物。将该光刻胶组合物旋涂于基片上可制得厚度均匀的光刻胶薄膜，应用于200‑450nm的紫外光源曝光，尤其适用于365nm I线光刻、248nm深紫外光刻、436nm G线光刻等远场及近场光刻技术，诸如紫外曝光机、365nm激光直写近场光刻、365nm激光干涉光刻等紫外光刻技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108147983B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201611105094.4
申请日：2016-12-05
Applicant: 中国科学院化学研究所
IPC: C07C309/04 , C07C303/32 , C07D333/18 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一类硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶及其制备方法和应用。所述硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶是立体不对称的无定形小分子化合物，具有较高的熔点和玻璃化转变温度(熔点均高于100℃)，能够满足光刻技术要求，在高温烘烤中薄膜结构无变化。该类化合物可以单独或与其他光刻胶、光致产酸剂、交联剂等复配成正性或负性光刻胶，在基片上通过旋涂法可制得厚度均匀的光刻胶涂层。该光刻胶配方可用于365nm光刻、248nm光刻、193nm光刻、极紫外光刻及电子束光刻等现代光刻技术中，尤其适用于极紫外光刻工艺中。
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公开(公告)号：CN108084028B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201611046954.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 中国科学院化学研究所
Abstract: 本发明涉及一种含双酚A骨架结构的分子玻璃光刻胶的制备方法。其以溶剂洗涤过滤纯化产品来代替硅胶色谱柱纯化产物，大大降低了后处理的复杂性，减少了后处理时间，同时也保护生产人员免受硅胶所带来的健康危害。并且该方法在保持纯度不变的情况下，使化合物(III)、(V)的产率得到了极大的提升：由化合物(I)到化合物(III)的产率提高了15％以上，由化合物(IV)到化合物(V)的产率提高了25％以上。
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公开(公告)号：CN108084028A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611046954.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 中国科学院化学研究所
Abstract: 本发明涉及一种含双酚A骨架结构的分子玻璃光刻胶的制备方法。其以溶剂洗涤过滤纯化产品来代替硅胶色谱柱纯化产物，大大降低了后处理的复杂性，减少了后处理时间，同时也保护生产人员免受硅胶所带来的健康危害。并且该方法在保持纯度不变的情况下，使化合物(III)、(V)的产率得到了极大的提升：由化合物(I)到化合物(III)的产率提高了15％以上，由化合物(IV)到化合物(V)的产率提高了25％以上。
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公开(公告)号：CN110032040A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810032040.2
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院化学研究所
Abstract: 本发明涉及一系列以四苯基呋喃、四苯基吡咯、四苯基噻吩、五苯基吡啶、四苯基双酚A、杯芳烃型双酚A为核的分子玻璃化合物为主体材料，辅以光致产酸剂、溶剂等组合而成的化学放大型光刻胶组合物。将该光刻胶组合物旋涂于基片上可制得厚度均匀的光刻胶薄膜，应用于200-450nm的紫外光源曝光，尤其适用于365nm I线光刻、248nm深紫外光刻、436nm G线光刻等远场及近场光刻技术，诸如紫外曝光机、365nm激光直写近场光刻、365nm激光干涉光刻等紫外光刻技术。
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公开(公告)号：CN108147983A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201611105094.4
申请日：2016-12-05
Applicant: 中国科学院化学研究所
IPC: C07C309/04 , C07C303/32 , C07D333/18 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一类硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶及其制备方法和应用。所述硫鎓盐键合苯多酚型分子玻璃光刻胶是立体不对称的无定形小分子化合物，具有较高的熔点和玻璃化转变温度(熔点均高于100℃)，能够满足光刻技术要求，在高温烘烤中薄膜结构无变化。该类化合物可以单独或与其他光刻胶、光致产酸剂、交联剂等复配成正性或负性光刻胶，在基片上通过旋涂法可制得厚度均匀的光刻胶涂层。该光刻胶配方可用于365nm光刻、248nm光刻、193nm光刻、极紫外光刻及电子束光刻等现代光刻技术中，尤其适用于极紫外光刻工艺中。
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