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公开(公告)号：CN109354492B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201811180655.6
申请日：2018-10-09
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C04B35/475 , C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种铋基无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法，涉及电子陶瓷与元器件技术领域，用于储能电容器应用的相关领域。该材料的化学成分符合通式：(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3+x SrTiO3+ywt％Nb2O5，采用传统的陶瓷制备工艺合成。通过Nb的加入，使得陶瓷的晶粒尺寸得到细化，击穿场强提高。本发明制作的陶瓷元件，在E＝13kV/mm的直流电场下，可以获得Wrec～1.8J/cm3的储能密度，能量效率η可以达到80％；同时，该材料的储能性能的温度稳定性良好。
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公开(公告)号：CN105924207B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610257088.4
申请日：2016-04-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C04B38/02 , C04B35/565
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，包括：将短碳纤维添加到聚氨酯泡沫塑料原料中进行发泡及交联反应后得到短碳纤维/聚氨酯泡沫坯体；短碳纤维/聚氨酯泡沫坯体在惰性气体保护下进行热分解得到碳泡沫坯体；碳泡沫坯体与金属硅在真空炉中进行反应烧结得到碳化硅泡沫陶瓷。所述方法利用了成熟的聚氨酯泡沫塑料制造技术，是一种直接发泡法，可用于制备复杂结构及大尺寸的碳化硅泡沫陶瓷。所述方法采用工业原料，工艺过程简单，制备周期短，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN104844202B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510179552.8
申请日：2015-04-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L41/187 , C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种锰锑酸铅(PMS)掺杂的铌镍-锆钛酸铅压电陶瓷(PNN-PZT)，原料配方为：(1-x)Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5ZryTi0.5-yO3-xPb(Mn1/3Sb2/3)O3，式中，x、y为摩尔含量，数值分别为x＝0.0-0.06，y＝0.10-0.20。本发明采用传统的固相合成工艺，预烧温度为800-900℃，烧结温度为1000-1300℃，得到了新型的压电陶瓷材料，此材料具有高的压电系数(d33*～1000pm/V)以及优异的力学性能(E～120GPa，K1C～1.44Mpa·m1/2)。本发明是一种以锆钛酸铅为基础的压电陶瓷，具有高的压电系数和优异的力学性能。该新型压电陶瓷主要用于微位移驱动器、压电传感器、换能器等领域，具有很大的市场价值。
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公开(公告)号：CN101923214A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010244785.9
申请日：2010-08-04
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 基于压电驱动器的变形次镜包含镜面、驱动器、刚性底座，镜面、驱动器、刚性底座粘接为整体；镜面为球壳结构，正面为非球面同时作为变形镜镜面与望远镜次镜，背面为球面，下表面有与镜面为一体式结构的极头，以增大粘接面与镜面距离，减小粘接过程导致的局部变形；驱动器两端分别粘接匹配接头，保证驱动器与镜面背面极头底面、底座顶面紧密接触，保证驱动器指向，减少粘接过程导致的局部变形；刚性底座顶面为球面，保证驱动器支撑条件，并在保证刚度的前提下实现轻量化。本发明中所述变形次镜镜面、驱动器、刚性底座粘接为整体，与现有的变形次镜相比具有结构紧凑、刚度高、稳定性好、可靠性高、质量小的特点，适用于需要较少驱动单元数变形次镜的应用领域。
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公开(公告)号：CN109265177A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811202377.X
申请日：2018-10-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C04B35/581 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种制备超细ALON透明陶瓷粉体的方法，属于透明陶瓷粉体制备技术领域。本方法以纳米氧化铝粉体和易于保存的粗颗粒氮化铝粉体为原料，先将粗颗粒氮化铝粉体球磨至纳米级，然后加入纳米氧化铝粉体继续球磨，使氧化铝粉和氮化铝能充分均匀混合。球磨后的混合粉料干燥、过筛后，置于氧化铝或氮化硼陶瓷坩埚中，在流动氮气环境中，经高温固相反应得到ALON透明陶瓷粉体。最后用高纯氧化铝球对ALON透明陶瓷粉体进行球磨，得到纳米级的超细ALON透明陶瓷粉体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106064943A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610379644.5
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C04B35/475 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种铋基无铅压电陶瓷及使用该材料的压电执行器，涉及电子陶瓷与元器件技术领域，具体提供一种新的无铅压电陶瓷材料，可以替代传统的铅基压电陶瓷，用于压电执行器应用的相关领域。该材料为主要包含Bi、Ti、Na和Sr元素，及少量其它元素，在传统驱动器工作电场下，具有比PZT陶瓷更为优异的场致应变性能。基于该材料的压电执行器可广泛用于压电喷油器、压电精密平台等工业领域。
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公开(公告)号：CN105481262A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510943548.4
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C03C17/09
CPC classification number: C03C17/09 , C03C2217/26 , C03C2218/15 , C03C2218/31
Abstract: 本发明提出一种X射线抛物面反射镜表面镀高反膜方法，包括以下步骤：一.玻璃基片的清洗；二.用特定夹具夹持玻璃基片并烘烤；三.在玻璃基片上镀Cr膜；四.在Cr膜上镀Ir膜。本发明具有反射率高，靶材使用率高，膜层均匀，薄膜吸附力强等优点。
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公开(公告)号：CN109354492A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811180655.6
申请日：2018-10-09
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C04B35/475 , C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种铋基无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法，涉及电子陶瓷与元器件技术领域，用于储能电容器应用的相关领域。该材料的化学成分符合通式：(1-x)Bi0.5Na0.5TiO3+x SrTiO3+ywt％Nb2O5，采用传统的陶瓷制备工艺合成。通过Nb的加入，使得陶瓷的晶粒尺寸得到细化，击穿场强提高。本发明制作的陶瓷元件，在E＝13kV/mm的直流电场下，可以获得Wrec～1.8J/cm3的储能密度，能量效率η可以达到80％；同时，该材料的储能性能的温度稳定性良好。
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公开(公告)号：CN109343213A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811523630.1
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米多层膜的变形反射镜系统，包括反射镜面、镜面粘接层、变形驱动层、支撑结构和电控系统，反射镜面基于纳米多层膜研制而成，用于完成对光信号的镜面反射，反射谱段可以根据需求进行设计调整，具有变形能力，能够实现空间与时间上的面形自由校正；镜面粘接层完成反射镜面与变形驱动层的集成连接；变形驱动层是变形反射镜的核心组成部分，根据外部控制信号，输出变形量，完成高精度反射镜面变形，形成面形校正能力；支撑结构是变形反射镜高精度变形部件与外部的结构接口；电控系统用于产生对变形驱动层的高压控制信号适用于各种面临复杂环境条件、高成像质量要求的光学系统，尤其适用于空间光学相机/望远镜。
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公开(公告)号：CN105060913A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510496033.4
申请日：2015-08-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C04B35/83 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低热膨胀系数C/C-SiC复合材料的制备方法，将体积分数为40％～50％的正交三向长碳纤维预制体在真空压力条件下浸渍酚醛树脂溶液后，进行固化处理、碳化处理，重复真空浸渍-固化-碳化处理直至获得的C/C材料密度达到1.45～1.60g/cm3，之后在Ar气保护气氛下进行1800℃～2200℃高温热处理，再结合液硅浸渗法(LSI法)，得到密度为2.2～2.4g/cm3，-20℃～100℃温度范围内平面方向和厚度方向的热膨胀系数(CTE)分别约为0～0.1ppm/K、0.6～1.3ppm/K的C/C-SiC复合材料。本发明制备周期短，成本低，所得材料密度小，热膨胀系数低，力学性能优良，可满足空间低温环境下光机结构件的应用要求。
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