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公开(公告)号：CN119263868A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310830289.9
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种抗事故SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的多级强化连接方法。所述连接方法包括：(1)将SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的连接处打磨、抛光、超声清洗并干燥；(2)将SiC晶须、SiC粉体、陶瓷先驱体、催化剂、结合剂和溶剂充分混合，得到膏状封装剂；(3)将膏状封装剂均匀涂抹在SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的连接面处，置于化学气相沉积系统中依次进行连接层的陶瓷化与致密化，最终可得抗事故SiC/SiC燃料包壳管与SiC端塞的多级强化连接层。
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公开(公告)号：CN119263644A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310830288.4
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于抗事故SiC/SiC核燃料包壳管复合端口封装的封装剂。所述封装剂包括：组份为MgO、Al2O3、SiO2、ZrO2的玻璃粉、SiC粉体、SiC晶须、结合剂、溶剂；所述玻璃粉中MgO、Al2O3、SiO2、ZrO2的摩尔比为(15～40)：(10～25)：(35～50)：(5～10)；所述玻璃粉、SiC粉体、SiC晶须、结合剂、溶剂的体积比为(20～35)：(5～10)：(5～10)：(3～50)：(45～60)。
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公开(公告)号：CN119263859A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310830292.0
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622 , G21C3/07
Abstract: 本发明涉及一种耐辐照抗事故SiC/SiC核燃料包壳的制备方法。所述制备方法包括：(1)以从步骤(A)开始并结束于步骤(A)的方式交替进行下述步骤(A)和步骤(B)以得到具有至少两层PyC界面层和至少一层SiC纳米线界面层的管状SiC纤维预制体：(A)通过化学气相沉积工艺在管状SiC纤维预制体表面沉积PyC界面层；(B)通过真空浸渍将催化剂负载到PyC界面层上，再通过化学气相沉积工艺在PyC界面层表面原位生成SiC纳米线界面层；(2)采用化学气相渗透工艺对管状SiC纤维预制体进行致密化处理；(3)采用化学气相沉积工艺在管状SiC纤维预制体表面沉积SiC涂层，得到所述SiC/SiC核燃料包壳管。
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公开(公告)号：CN118791321A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310376884.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明涉及一种用于连接碳化硅陶瓷的同质连接材料以及连接方法。所述同质连接材料包括：碳化硅微粉、碳化硅纳米线、分散剂、粘结剂、碳化硅陶瓷前驱体和有机溶剂；所述碳化硅纳米线的长度为50～100μm，直径为50～1000nm、优选为100～600nm。
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公开(公告)号：CN118524690A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310137645.9
申请日：2023-02-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种电磁屏蔽碳纳米管/纳米镍复合薄膜的制备方法。所述制备方法包括：(1)碳纳米管薄膜的预处理：将碳纳米管薄膜置于无水乙醇中边浸泡边超声10～180分钟，再将处理后的碳纳米管薄膜置于0.01～1mol/L的H2SO4中浸泡5～150分钟，去离子水冲洗后，放入烘箱30～80℃干燥后得到预处理后的碳纳米管薄膜；(2)电镀液的制备：将二水合柠檬酸钠、甲酸钠、尿素、氯化镍加入至去离子水中，利用超声均匀分散得到电镀液；(3)碳纳米管/纳米镍复合薄膜的制备：将预处理后的碳纳米管薄膜作为工作电极，Ag/Agcl作为参比电极，光谱化石墨棒作为对电极，在恒电势条件下电沉积制得碳纳米管/纳米镍复合薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117945774A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410035939.5
申请日：2024-01-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/622 , C04B35/58
Abstract: 本发明涉及一种高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料及其制备方法。所述高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料的制备方法包括：先采用化学气相渗透法在纤维预制体中实现SiBCN基体的初步沉积，再依次采用前驱体浸渍裂解法和二次化学气相渗透法实现SiBCN基体在纤维预制体中的致密化，得到所述高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN115784749B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111056523.4
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将SiC粉体、Re2O3粉体、粘结剂和溶剂混合，得到混合浆料；（2）将碳化硅纤维布或碳纤维布浸入混合浆料中，得到纤维预浸片后，再经裁剪、叠层、干燥、固化、一次热解，得到预制体；（3）将所得预制体浸渍树脂，再经二次热解和反应熔渗处理，得到耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN115677355B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202110857910.1
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C16/34 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种纤维表面Si3N4纳米网络复合界面相层及其制备方法。该在纤维表面原位生长Si3N4纳米网络结构复合界面相层的方法为：将表面沉积有Si3N4界面相层的纤维或纤维编织体进行热处理，得到Si3N4纳米网络结构复合界面相层；所述热处理包括：（1）先在1450～1750℃、真空或压力为10Pa～20Kpa的N2或/和Ar中，保持0.1小时～2小时；（2）再在1450～1750℃，压力为70Kpa～1000Kpa的N2或/和NH3气氛中，保持0.1小时～2小时。
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公开(公告)号：CN115772037B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202111057806.0
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种利用短切纤维构造熔渗预制体制备碳化硅陶瓷基复合材料的方法，包括：1）将短切纤维、碳化硅粉体、粘结剂和溶剂混合，得到碳化硅浆料；（2）将碳纤维布或碳化硅纤维布进入所得碳化硅浆料中，得到纤维浸浆片后，依次经烘干、裁剪、叠层、固化、热解，得到熔渗预制体；（3）将硅粉或硅合金粉置于熔渗预制体周围，再经反应烧结，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN119638431A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311193072.8
申请日：2023-09-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括以下步骤：(1)将SiC纤维进行编织，得到SiC纤维编织体；(2)将所述SiC纤维编织体通过化学气相沉积法在SiC纤维编织体表面沉积界面层；(3)将SiC粉体、烧结助剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和溶剂混合，得到SiC浸渍浆料；(4)将沉积界面层的SiC纤维编织体浸入SiC浸渍浆料中，然后将浸渍完全的SiC编织体取出并进行干燥，得到SiC预浸片；(5)将所述SiC预浸片裁剪并进行叠层，然后进行热压烧结，得到所述SiCf/SiC陶瓷基复合材料。
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