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公开(公告)号:CN102799697A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201110135609.6
申请日:2011-05-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种低温77K下的CMOS建模方法,本方法采用BSIM3为基础,根据模型参数随温度变化的物理定义,分别在BSIM3模型中选择具有针对性的模型参数,并对其添加统计表达式修正项,根据测试结果确定修正系数的初始值,将所述修正系数的初始值代入BSIM3模型中,调试和仿真模型参数。其中需要测试的模型参数包括:Vgs-Id;Cgg-Vgs;Vds-Id;Cgc-Vgs;高阻HR;poly1电阻的低温77K特性。利用BsimPro软件,将低温测试参数结果代入其中,能使仿真曲线精确地接近实际的低温测试特性曲线,较简便且快速地完成对MOS晶体管低温77K的建模,提高专用集成电路的低温设计能力。
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公开(公告)号:CN101285706A
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200810038314.5
申请日:2008-05-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种差分输入的低温红外探测器微弱电流放大器,该放大器采用差分输入的折叠共源共栅结构,41MΩ的反馈电阻集成在芯片里面,四路集成放大器芯片仅为3mm×1.9mm;该放大器能直接把红外探测器的电流信号转化为电压信号,常温300K和低温77K都能正常工作;该放大器不仅可用于红外探测器信号的放大,也可用于可见光探测器信号的放大;该放大器在低温77K下的3dB带宽为5KHz,等效输入电流噪声为0.025PA/HZ1/2@1KHz,最小单元功耗可低至0.32mW。
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